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一种测量直流偏置条件下磁致伸缩棒材高频磁特性的装置: 本发明公开一种测量直流偏置条件下磁致伸缩棒材高频磁特性的装置，包括：导磁回路，导磁回路包括正对设置的上极头和下极头，上极头与下极头之间设置放样空间；上极头的外壁周向等间距安装有若干磁回路模块，磁回路模块的底端与下极头侧壁...; 黄文美张泽远陶铮郭萍萍

不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析被引量：2: 2023年; 应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)会受到高能质子辐照损伤,导致性能退化,严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理,本文以0.18μm工艺CIS为研究对象,利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量分别为1×10^(10)、5×10^(10)、1×10^(11)p/cm^(2)的100 MeV质子辐照实验。获得了单粒子瞬态响应的典型特征和暗信号、暗信号分布、暗信号尖峰及随机电码信号(RTS)等敏感参数的退化规律,揭示了不同偏置条件和不同注量下CIS高能质子辐照损伤的物理机制。实验结果表明:对暗信号而言,加偏置条件比未加偏置条件变化显著;质子辐照诱发的位移损伤和电离损伤引起暗信号的增大;位移损伤诱发的体缺陷诱发暗信号尖峰的产生,且随着辐照注量的增大而增多;空间电荷区中不同类型的体缺陷导致两能级和多能级RTS的产生。; 聂栩王祖军王祖军王百川黄港赖善坤唐宁王茂成赵铭彤杨馥羽王忠明; 关键词：CMOS图像传感器质子辐照瞬态响应

不同偏置条件下背照式CMOS图像传感器中国散裂中子源辐照实验研究: 本文开展了背照式CMOS图像传感器（CIS）中国散裂中子源（CSNS）白光中子辐照实验研究,中子辐照实验的注量范围为1.0×10～2.0×10 n/cm;分析了白光中子辐照诱发背照式CIS暗电流、暗电流非均匀性、固定模式...; 王祖军薛院院陈伟郭晓强杨勰聂栩赖善坤黄港何宝平盛江坤马武英缑石龙; 关键词：中国散裂中子源中子辐照

一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法: 本发明提供一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法，通过将磁芯在非饱和工作区的磁通密度分隔成若干区间，以计算出每个区间相应的磁滞损耗数据。不同直流偏置下磁芯的磁滞损耗可由所计算的磁通密度变化量在所涉及的磁滞损耗区间组...; 周岩朱伟波

一种优化电源扫描参数测试中偏置条件的计算方法: 本发明属于自动化测试领域；涉及一种优化电源扫描参数测试中偏置条件的计算方法，方法包括提取最新的若干条电源扫描参数测试数据，剔除超范围数据；将数据中最大值和最小值之间等间距划分为若干个区间；查找出数据量最大的分组，将其数据...; 李超崔庆林颜敏

一种基于不同偏置条件的高温超导太赫兹辐射源智能测试装置: 本发明公开了一种基于不同偏置条件的高温超导太赫兹辐射源智能测试装置，包括测试台，测试台的上表面固定安装有低温制冷系统、光路传输系统和信号采集与保存系统，测试台的上表面左侧固定安装有密封壳体，低温制冷系统包括斯特林制冷机，...; 张慧丽黄家才殷埝生张铎李毅搏韩宇菲; 文献传递

一种基于不同偏置条件的高温超导太赫兹辐射源智能测试装置: 本发明公开了一种基于不同偏置条件的高温超导太赫兹辐射源智能测试装置，包括测试台，测试台的上表面固定安装有低温制冷系统、光路传输系统和信号采集与保存系统，测试台的上表面左侧固定安装有密封壳体，低温制冷系统包括斯特林制冷机，...; 张慧丽黄家才殷埝生张铎李毅搏韩宇菲; 文献传递

低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模: 2021年; 为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经验散粒噪声模型,利用噪声合成的方法验证了该模型的有效性,基于上述工作推导了一组实用的四噪声温度参数模型。7K、77K和300K条件下的模型结果共同表明:只要保证集电极-发射极电压VCE的值大于100mV~200mV,SiGe HBT就可以保持良好的噪声特性工作在低温低偏置条件下。; 何林王军; 关键词：小信号等效电路

偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响: 2020年; 本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效应的影响。结果表明:高剂量率辐照下,国产SiGe BiCMOS器件具有非常好的抗电离总剂量效应能力,可以达到数十千戈瑞,基极电流对辐射更敏感。不同偏置条件下,器件TID累积到12 kGy(Si)时,反偏损伤最大,零偏次之,正偏增益退化最小。发现其主要机制是高剂量率辐射及外加偏置引入的边缘电场影响氧化层中诱导氧化物陷阱电荷和界面态产生,导致基极辐射敏感区增大,基极电流增大,从而使器件增益减小。; 王利斌王信吴雪李小龙刘默寒陆妩; 关键词：SIGE BICMOS 偏置条件界面态

一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法: 本发明提供一种直流偏置条件下磁芯磁滞损耗的预估计算方法，通过将磁芯在非饱和工作区的磁通密度分隔成若干区间，以计算出每个区间相应的磁滞损耗数据。不同直流偏置下磁芯的磁滞损耗可由所计算的磁通密度变化量在所涉及的磁滞损耗区间组...; 周岩朱伟波; 文献传递

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