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一种用于全面辅助识别光电特性的自动化光电仪器仪表: 本发明公开了一种用于全面辅助识别光电特性的自动化光电仪器仪表，涉及仪器仪表技术领域，解决了目前使用的仪表固定方式较少，不便于灵活使用，不具备稳定的组合式安装结构的问题。一种用于全面辅助识别光电特性的自动化光电仪器仪表，包...; 邹育仙

单端注入型LED的光电特性与灰度调制技术研究: 2024年; Micro-LED拥有出色的亮度、高发光效率、低能耗、高反应速度、超高解析度与色彩饱和度等优势,且具备自发光和感测能力,是一项十分理想的显示技术。传统的直流灰度调控方法不再适用于驱动单端载流子注入结构的交流型LED,本文根据单端注入型LED器件在不同频率、幅度、占空比以及交流驱动模式下的光电特性,提出一种基于人眼视觉特性的相对占空比混合式灰度调制方案。结果表明,正负方波驱动模式下的器件在相同电压和频率下表现出更强的发光亮度,并且器件随着驱动频率的增加,发光亮度逐渐提升。最后,结合人眼视觉特性,验证了发光器件在不同相对占空比、幅度、频率的混合式调制方法下实现了由2个灰度到8个灰度等级的提升,为未来新型发光器件灰度调制提供新思路。; 林珊玲卢杰吴朝兴吴朝兴林志贤; 关键词：LED 交流电光电性能

稀土元素Lu,Sc掺杂GaN光电特性的第一性原理研究被引量：1: 2024年; 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似(GGA+U)平面波超软赝势方法,计算了本征GaN和稀土元素Lu、Sc掺杂GaN体系的电子结构和光学性质.结果表明:计算得到本征GaN的禁带宽度为3.37 eV,与实验值(3.39 eV)接近. Lu掺杂后GaN体系带隙变窄,而Sc掺杂后诱导了深能级杂质,带隙变宽,但仍为直接带隙半导体.掺杂后体系均发生畸变,晶格常数和体积增大,且在费米能级附近产生杂质带. Lu、Sc掺杂GaN体系的静态介电常数较本征GaN(4.50)均有所增大.Lu、Sc掺杂后体系介电常数虚部整体左移,光吸收边往低能方向移动,发生了红移现象.计算结果对稀土元素Lu、Sc掺杂GaN高压光电材料的开发和研究提供了理论依据.; 付莎莎肖清泉姚云美邹梦真谢泉; 关键词：GAN 第一性原理光电性质

La、Yb掺杂AlN的光电特性和磁性的第一性原理研究: 2024年; 为了探索AlN在光电器件的潜在应用,基于密度泛函理论,采用第一性原理计算了本征AlN和稀土元素La、Yb掺杂AlN体系的光电特性和磁性。计算结果表明:本征AlN的带隙为6.060 eV。掺入La和Yb后都在导带底产生了杂质能级,使得电子从价带到导带所需的激发能量更低,有利于光学跃迁,从而改善AlN的光学性能。Yb掺杂后自旋向上和自旋向下的价带发生了劈裂,说明Yb掺杂后产生了磁性。La、Yb替位掺杂AlN后,光吸收带边向左往低能方向移动,发生了红移现象。掺杂La和Yb后AlN体系的静态介电常数由4.63分别增大为5.14、280.44,说明掺杂之后增强了体系耐高压特性;静态折射率则由2.12分别增大为2.26、17.06,改善了AlN的光学性质。; 熊鑫陈茜谢泉; 关键词：ALN 第一性原理稀土掺杂光电特性磁性

光电膜层光电特性的成像测量: 2024年; 光电探测器的光电膜层的光电特性与膜层上各点的吸收系数和光电转换系数有关.为了测量光电膜层光电特性的二维空间分布,提出了基于单像素成像的膜层光电特性测量方法.在该方法中,光电膜层既是成像对象,又是信号探测器,可以实现自探测成像.采用四步相移条纹投影方法,导出膜层光电特性单像素成像公式;以光电池膜层为研究对象,采用白光、红光、绿光和蓝光对其光电特性进行二维成像.实验结果表明:该方法能够以一定的空间分辨率对光电膜层的光电特性进行成像测量,空域上的灰度平均值和标准方差、频域上的频谱分布特点可以评估膜层的光电特性强弱和均匀性.; 郑焕玲杨初平

测量马赫-曾德尔调制器行进波的光电特性的装置: 本实用新型涉及测量马赫‑曾德尔调制器行进波的光电特性的装置，其包含测量测试结构的例如S21的光电参数，测试结构包含测试TWMZM及经连接以传送射频(RF)信号来光电调制行进通过测试TWMZM的光的电垫的第一例子。类似地测...; 钟铭洋卓联洲斯帝芬·鲁苏

一种基于MoS2基材料的光电特性高效回收水体中痕量银的方法: 本发明公开了一种基于MoS2基材料的光电特性高效回收水体中痕量银的方法，该电极材料包括钛网及均匀负载于所述钛网上的MoS2/SnO2，其中，SnO<Sub...; 贾菲菲项紫薇宋少先陈鹏刘畅

掺杂对2H-MoTe_(2)光电特性影响的第一性原理研究: 2024年; MoTe_(2)是一种非空间反演对称性半导体,由线性偏振光照射,在无偏压条件下可以直接产生光电流,但是非常微弱.掺杂可以改变电子能带结构和降低空间反演对称性,从而有效的增强光电流.本文基于非平衡格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理,计算了本征、Nb掺杂、Ti掺杂和W掺杂2H-MoTe_(2)的能带结构、透射谱和光电流.能带结构表明:Nb掺杂使半导体2H-MoTe_(2)能带穿越费米能级,转变为金属特性;Ti和W掺杂减小了2H-MoTe_(2)的带隙,能带没有穿越费米能级,依然为半导体.掺杂都降低2H-MoTe_(2)的反演对称对称性,从本征的D3h转变为Cs.从而在线偏振光的照射下可以有效的提高2H-MoTe_(2)的光电流.同时,发现掺杂可以提高单层2H-MoTe_(2)在低光子能量下的消光比,如Nb和Ti掺杂单层2H-MoTe_(2)分别在光子能量1.1 eV和1.2 eV处取得39.48和28.48的高消光比.这些结果表明掺杂可以有效增强单层2H-MoTe_(2)的光电流和消光比,可以应用于指导2H-MoTe_(2)在光电器件的设计,特别是在红外光探测领域增添了许多可能.; 徐中辉赵书亮王利峰刘川川; 关键词：光电效应掺杂第一性原理光电探测器

非铅钙钛矿材料的光电特性研究: 卤化物钙钛矿是新一代低成本半导体材料,具有高载流子迁移率、长载流子寿命、低陷阱密度以及高吸收系数等优异性能,是制备X射线探测器的理想材料之一。然而,在主流的铅基钙钛矿中,有毒的金属铅会对人体和生物系统造成严重威胁。因此,...; 周超; 关键词：光电特性异质结 X射线探测

目标可见光光电特性异地测量等效方法: 本发明提供了一种目标可见光光电特性异地测量等效方法，在试验场区内通过标准靶色标来记录当地不同的环境光条件，并记录目标的亮度；计算太阳天顶角和方位角；分别对红光、绿光和蓝光进行测量，制成目标亮度‑红光表格、目标亮度‑绿光表...; 袁宏学王小兵廖俊勃张燕刘德连何亚磊

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