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飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片
本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，涉及光器件集成技术领域，包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长；硅波导层，设于二氧化硅埋氧层上，位于二氧化硅包埋层内部；二氧化硅包埋层包括第...
李明谢毓俊李昂杨梦涵金烨屈扬王道发李伟祝宁华苏辉
飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片
本发明提供了一种飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片，涉及光器件集成技术领域，包括：硅衬底、二氧化硅埋氧层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长；硅波导层，设于二氧化硅埋氧层上，位于二氧化硅包埋层内部；二氧化硅包埋层包括第...
李明谢毓俊李昂杨梦涵金烨屈扬王道发李伟祝宁华苏辉
一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法及装置和太赫兹倍频器
本申请属于太赫兹倍频器技术领域，尤其涉及基于一种基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法及装置和太赫兹倍频器；本申请提供的基于单片集成的薄膜型太赫兹器件的制备方法是基于单片集成技术的构思，在同一个外延片上同时制备微带线电...
张佰君李欣
GaN基器件的单片集成结构及其制备方法
本发明提供一种GaN基器件的单片集成结构及其制备方法，通过接续生长的外延结构，基于外延结构将双异质结GaN基HEMT器件与滤波器设置于缓冲层的正面，于缓冲层的背面设置无源元件，位于缓冲层正面的器件通过互连通孔与无源元件级...
张兵莫炯炯郁发新
GaN基器件的单片集成结构及其制备方法
本发明提供一种GaN基器件的单片集成结构及其制备方法，通过接续生长的外延结构，基于外延结构将双异质结GaN基HEMT器件与滤波器设置于缓冲层的正面，于缓冲层的背面设置无源元件，位于缓冲层正面的器件通过互连通孔与无源元件级...
张兵莫炯炯郁发新
一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法
本发明属于半导体的技术领域，公开了一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法。单片集成器件从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子...
李国强姚书南柴华卿林志霆王文樑
一种可大规模单片集成的光学Ising机
本发明公开了一种可大规模单片集成的光学Ising机，属于光计算领域。包括光电光转换单元、对称光学耦合矩阵、激励光源、补充光源以及控制系统；光电光转换单元实现输入光信号和输出光信号之间的非线性操作。对称光学耦合矩阵对光电光...
董建绩吴波周海龙
一种单片集成过流检测结构的SiC MOSFET
本发明公开一种单片集成过流检测结构的SiC MOSFET，包括多个串联的元胞，元胞包括PowerFET和SenseFET，SenseFET的片上集成有过流检测结构，过流检测结构包括集成于片上的polySi，polySi具...
许一力
一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法
本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连...
卢红亮陈丁波
一种单片集成光谱识别芯片的制备方法及光谱识别芯片
本发明公开了一种单片集成光谱识别芯片的制备方法及光谱识别芯片，涉及光谱识别芯片技术领域。方法包括：在P型硅衬底的上表面刻蚀沟槽并填充绝缘材料，在沟槽所围区域掺杂磷原子形成N阱，沿N阱区域边长掺杂磷原子，形成N型重掺杂区域...
吴少雄
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张海英
作品数：521被引量：213H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：频率综合器 单片集成 脉搏波 GAAS 砷化镓
王圩
作品数：367被引量：189H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
赵玲娟
作品数：201被引量：118H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单片集成 激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 半导体激光器
陈堂胜
作品数：405被引量：321H指数：9
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
吴洪江
作品数：114被引量：185H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路