搜索到258篇“ 原子层外延“的相关文章
- 原子层外延被引量：1
- 1990年
- 原子层外延是近几年发展起来的一种富有潜力的新型超薄层外延技术．本文试从表面吸附反应动力学角度出发，介绍这种工艺的基本原理和生长机理．最后简述了它在器件制作中的某些应用．
- 彭英才
- 关键词：原子层外延半导体
- 一种强氧化原子层外延方法
- 本发明涉及量子材料领域，特别涉及一种强氧化原子层外延方法。本发明公开了在超高真空反应腔体中注入1E‑4Pa至15Pa量级臭氧，或相当的臭氧与氧气的混合气体氛围，通过纳秒级脉冲深紫外激光烧蚀氧化物固态源，产生目标元素的高能...
- 陈卓昱周广迪黄浩亮薛其坤
- 用于先进通道器件的半导体栅极堆叠层的原子层外延
- 本公开内容的实施方式提供用于在基板上形成外延层的方法及装置。将基板暴露于脉冲激光辐射以清洁、退火，和/或活化基板的表面。然后在自限制沉积工艺中将基板暴露于沉积前驱物。可再次将基板暴露于脉冲激光辐射，然后在第二自限制沉积工...
- 斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑阿伦·缪尔·亨特马蒂亚斯·鲍尔阿米科姆·萨德
- 文献传递
- 低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延
- 本发明描述了生长氮化铟(InN)材料的方法，其通过在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。还描述了一种材料，其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶体结构的InN。
- 倪瑞·尼泊尔查尔斯·R·埃迪纳迪姆拉·A·马哈迪克赛义德·B·卡德里迈克尔·J·梅尔
- 文献传递
- 低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延
- 本发明描述了生长氮化铟(InN)材料的方法，其通过在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。还描述了一种材料，其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶体结构的InN。
- 倪瑞·尼泊尔查尔斯·R·埃迪纳迪姆拉·A·马哈迪克赛义德·B·卡德里迈克尔·J·梅尔
- 文献传递
- 原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
- 2012年
- 介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响。
- 何晓崐左然徐楠于海群
- 关键词：原子层外延GAAS
- 电化学原子层外延制备Bi-Se系薄膜
- 采用电化学原子层外延（electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE）方法尝试在 Pt 电极上沉积 BiSe纳米热电薄膜．利用循环伏安扫描研究了 Bi、 Se在 Pt 电极上的欠电势...
- 肖承京杨君友朱文段兴凯张亲亲李凯李良彪
- 关键词：UPD
- 文献传递
- 电化学原子层外延制备Bi—Se系薄膜被引量：1
- 2007年
- 采用电化学原子层外延（electrochemical atomic layer epitaxy，ECALE）方法尝试在Pt电极上沉积Bi2Se3纳米热电薄膜。利用循环伏安扫描研究了Bi^3＋、Se^4＋在Pt电极上的欠电势沉积参数，在此基础上利用自动电沉积系统交替沉积400个Bi、Se原子层。采用电量分析、XRD、EDX对沉积物进行表征。电量分析表明沉积物中存在硒的富余，XRD结果表明沉积物中除了Bi2Se3化合物外还有单质Se的富余。EDX分析沉积物的硒铋原子比为4：1，与XRD分析结果一致。
- 肖承京杨君友朱文段兴凯张亲亲李凯李良彪
- 关键词：UPD
- Bi_2Te_3热电薄膜的电化学原子层外延制备被引量：7
- 2006年
- 采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜。通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性,使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物。XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环沉积200层后得到的沉积物Bi和Te的化学计量比为2∶3,且是Bi2Te3薄膜化合物,而非单质Bi和Te的简单混合;薄膜均匀、致密、平整且可重复性好,以(015)为最优取向外延生长的。
- 侯杰杨君友朱文郜鲜辉
- 关键词：BI2TE3热电材料
- 电化学原子层外延制备纳米薄膜热电材料的研究
- 热电材料能够实现热能和电能之间的直接转换，是一种十分理想的电源和制冷器材料。传统热电材料存在主要问题是：材料的热电优值(ZT)小，热电转换效率低;制备工艺和目前微电子制造业的发展趋势不相适应，阻碍了其在“微观”制冷领域的...
- 郜鲜辉
- 关键词：热电材料电化学特性
- 文献传递
相关作者
- 罗岚
- 作品数：178被引量：382H指数：11
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- 研究主题：荧光粉体 荧光粉 钆 镁合金 中间合金
- 刘勇
- 作品数：211被引量：415H指数：12
- 供职机构：南昌大学
- 研究主题：镁合金 中间合金 镁基复合材料 力学性能 再生铝合金
- 郭锐
- 作品数：60被引量：88H指数：4
- 供职机构：南昌大学
- 研究主题：荧光粉 红色荧光粉 镧 化学计量比 镁合金表面
- 赵万顺
- 作品数：136被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 SIC
- 曾一平
- 作品数：584被引量：311H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
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