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存储元件
提供了一种存储元件，其中，即使在输入置位信号和复位信号重叠时，逻辑状态也可以在所有条件下安全地存储。在优选实施例中，这可以通过向持续锁存器阵列提供确保正确操作的异步电路来实现。
崔政宇约翰·凯斯特森盖理·黑格
存储元件
本发明提供一种存储元件，包括：电阻切换层、导电柱、阻障层、字线、多个电阻层以及多条位线。电阻切换层呈杯状且具有内表面以定义出开口。导电柱配置在开口中。阻障层配置在电阻切换层与导电柱之间。字线与导电柱电性连接。多个电阻层分...
陈达 王炳琨 谢光智 吴健民 林孟弘
存储元件及存储装置
提供一种具有新颖的结构的存储元件。存储元件层叠有第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极，并且第一电极、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层及第二电极各自具有彼此重叠的区域。作为半导体层使用金属氧化物之一的氧化物...
马场晴之 国武宽司
存储元件和存储装置
这个存储元件设置有：第一电极；电阻变化层，形成在第一电极上且至少包括碲、锑、锗，电阻变化层的电阻值变化；第一边界层，形成在第一电极与电阻变化层之间；以及第一热屏蔽层，形成在第一电极和第一边界层之间，第一热屏蔽层是导电的并...
水口徹也荒谷胜久大场和博中山徹生清宏彰
存储元件和存储装置
根据实施方式的存储元件包括：固定层，在其中磁化方向被固定；绝缘层，布置在固定层上；存储层，布置在绝缘层上，并且在其中磁化方向根据施加的电流而改变；以及包括氧化物的覆盖层，布置在存储层上。覆盖层包括具有比氧化物更高的导电性...
影山由维人佐藤阳苅屋田英嗣远藤将起细见政功
存储元件和存储装置
根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电...
大场和博野野口诚二清宏彰曾根威之五十岚实
半导体存储元件及其制造方法
本发明的实施方式提供一种能提高存储单元可靠性的半导体存储元件及其制造方法。本实施方式的半导体存储元件具备积层体、半导体层、第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜及第4绝缘膜。积层体是由绝缘层与导电层交替地沿着第1方向积层而成...
塩田伦也松下沙绪梨
字线结构、存储元件及其制造方法
本发明提供一种字线结构包括衬底、字线以及外延图案。字线内埋于衬底中。字线包括导体层、阻障层、绝缘层以与栅介电层。阻障层包覆导体层的下部。绝缘层包覆导体层的上部。栅介电层环绕绝缘层与阻障层，以电性隔离阻障层与衬底。外延图案...
王丽婷江明崇
一种磁性存储元件及其制造方法
本公开提供一种磁性存储元件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于改善磁性存储元件的写入方式以及实现高密度集成。该磁性存储元件包括衬底、底电极结构以及磁隧道结；底电极结构包括自旋轨道矩层以及分布于磁隧道结两侧的底电极加厚层...
李云鹏余小草马晓姿刘宏喜王戈飞
电阻式存储元件及其制备方法
本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的制备方法包括：在铜基底上制备下电极第一层；在所述下电极第一层上依次沉积下电极第二层、阻变层以及上电极；对所述上电极和所述阻变层进行光刻和蚀刻，并使蚀刻最低点停留在所述下电...
乔夫龙张适杰赵刘明崔凯何兆兴
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冯卫
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研究主题：电池 存储元件 电荷 开关装置 电流
马士宾
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研究主题：电池 存储元件 电荷 开关装置 充放电性能
李先银
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供职机构：比亚迪汽车股份有限公司
研究主题：存储元件 电池 电流 电荷 开关装置