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- 宽禁带半导体器件开关振荡研究综述被引量：1
- 2024年
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- 孙帅林仲康唐新灵魏晓光赵志斌
- 关键词：宽禁带半导体振荡负电阻
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- 袁俊成志杰郭飞王宽朱厉阳陈伟吴阳阳徐少东
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- 杨媛张国良邢文彬吕佳慧田雪孙倩钰李强赵天阳李耀华
- 一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法
- 本申请公开了一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件及其制造方法，可用于半导体器件领域，该器件中，N型外延层、P型埋层和PN结结构依次设于衬底的一侧；PN结结构包括沿第一方向交替分布的P型区和N型区；N型区包括N型电流扩展区...
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