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一种基于机器视觉的制备氧化镓单晶的方
本发明涉及制备氧化镓单晶技术领域,尤其涉及一种基于机器视觉的制备氧化镓单晶的方。所述方包括步骤:将已知图片样本分类标注后输入型,使用YOLOv7的算对经分类标注之后的所有图片样本进行训练,得到机器视觉...
齐红基秦娟邓淇元
生长氧化镓晶体界面变形程度确定方和优化方
本发明提供了一种生长氧化镓晶体界面变形程度确定方和优化方,本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面,并对目标计算域进行稳态计算,得到目标结晶界面所在的温度场;根据温度场,确定目标结晶界面对应的目标函数;计...
李早阳王君岚杨垚罗金平刘立军
一种生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方
本发明涉及集成电路半体制造的技术领域,具体涉及一种生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方,包括第一保温桶,所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道,所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长...
张召富殷长帅孟标梁康魏强民严钰婕
高压晶体生长装置
本实用新型公开了高压晶体生长装置,包括机架和设于机架上的晶体生长炉,晶体生长炉内设有坩埚、毛细管和加热机构,晶体生长炉上方设有第一罩体,第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接,从而在晶体生长炉上方形成上腔室,晶体生长...
武欢李海林李金何晔佘建军吴昊刘荣荣陈艺
一种高压晶体生长装置
本发明公开了一种高压晶体生长装置,包括机架和设于机架上的晶体生长炉,晶体生长炉内设有坩埚、毛细管和加热机构,晶体生长炉上方设有第一罩体,第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接,从而在晶体生长炉上方形成上腔室,晶体生长...
武欢李海林李金何晔佘建军吴昊刘荣荣陈艺
一种用于生长氧化镓单晶的
本实用新型涉及氧化镓单晶生长技术领域,公开了一种用于生长氧化镓单晶的具,所述第一板的狭缝面底部设置有第一虹吸倒角,所述第一板的下半部板面排布开设有多组第一虹吸排孔,所述第二板的狭缝面底部设置有第二虹吸...
郑东王鑫张兴姿
一种生长氧化镓晶体的方
本发明提供了一种生长氧化镓晶体的方,属于晶体生长领域。本发明将氧化镓原料和具加热,使所述氧化镓原料熔化,得到熔体和预热具;通过毛细原理将所述熔体吸入所述预热具表面,形成熔体层;下籽晶,使所述籽晶和所述熔...
夏宁 王琤
一种结合提拉的晶体生长方
本发明公开了一种结合提拉的晶体生长方,属于晶体生长技术领域。本发明结合提拉,在放肩期间晶体在熔体内自由放肩,放肩完成后晶体与具接触实现等径生长。放肩过程中晶体直接接触的是熔体,不会存在熔体与具温...
胡开朋
一种生长晶体的热场结构及装置
本发明公开一种生长晶体的热场结构及装置,涉及人工晶体技术领域。热场结构包括:第一保温体,第一保温体包括:第一通孔,设置在第一保温体的中心轴上;若干个第二通孔,两两对称设置在第一保温体的侧壁上,第一通孔与若干个第二个...
齐红基黄东阳秦娟徐子骞
一种氧化镓晶体的无损回熔方
一种氧化镓晶体的无损回熔方,步骤一,装籽晶,将具置于坩埚中,装入氧化镓原料,将坩埚放置于保温筒中心,关炉,抽真空;步骤二,充保护气体;步骤三,升温;步骤四,采用进行氧化镓晶体生长,在生长过程中晶体出现多晶...
张胜男霍晓青王英民周金杰周传新程红娟于凯张嵩李晖

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徐军
作品数:922被引量:1,487H指数:19
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作品数:152被引量:90H指数:6
供职机构:同济大学
研究主题:晶体生长 导模法 籽晶 氧化镓 晶体
王庆国
作品数:105被引量:78H指数:5
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研究主题:导模法 晶体 籽晶 激光晶体 共掺
罗平
作品数:76被引量:38H指数:5
供职机构:同济大学
研究主题:导模法 籽晶 氧化镓 晶体 晶体生长
陶绪堂
作品数:420被引量:213H指数:7
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研究主题:晶体 单晶 SUB 晶体生长 氧化镓