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导模法
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种基于机器视觉的
导
模
法
制备氧化镓单晶的方
法
本发明涉及
导
模
法
制备氧化镓单晶技术领域,尤其涉及一种基于机器视觉的
导
模
法
制备氧化镓单晶的方
法
。所述方
法
包括步骤:将已知图片样本分类标注后输入
模
型,使用YOLOv7的算
法
对经分类标注之后的所有图片样本进行训练,得到机器视觉...
齐红基
秦娟
邓淇元
导
模
法
生长氧化镓晶体界面变形程度确定方
法
和优化方
法
本发明提供了一种
导
模
法
生长氧化镓晶体界面变形程度确定方
法
和优化方
法
,本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面,并对目标计算域进行稳态计算,得到目标结晶界面所在的温度场;根据温度场,确定目标结晶界面对应的目标函数;计...
李早阳
王君岚
杨垚
罗金平
刘立军
一种
导
模
法
生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方
法
本发明涉及集成电路半
导
体制造的技术领域,具体涉及一种
导
模
法
生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方
法
,包括第一保温桶,所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道,所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长...
张召富
殷长帅
孟标
梁康
魏强民
严钰婕
高压
导
模
法
晶体生长装置
本实用新型公开了高压
导
模
法
晶体生长装置,包括机架和设于机架上的晶体生长炉,晶体生长炉内设有坩埚、毛细管
导
模
和加热机构,晶体生长炉上方设有第一罩体,第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接,从而在晶体生长炉上方形成上腔室,晶体生长...
武欢
李海林
李金
何晔
佘建军
吴昊
刘荣荣
陈艺
一种高压
导
模
法
晶体生长装置
本发明公开了一种高压
导
模
法
晶体生长装置,包括机架和设于机架上的晶体生长炉,晶体生长炉内设有坩埚、毛细管
导
模
和加热机构,晶体生长炉上方设有第一罩体,第一罩体与晶体生长炉顶板密封连接,从而在晶体生长炉上方形成上腔室,晶体生长...
武欢
李海林
李金
何晔
佘建军
吴昊
刘荣荣
陈艺
一种用于
导
模
法
生长氧化镓单晶的
模
具
本实用新型涉及氧化镓单晶生长技术领域,公开了一种用于
导
模
法
生长氧化镓单晶的
模
具,所述第一
导
模
板的狭缝面底部设置有第一虹吸倒角,所述第一
导
模
板的下半部板面排布开设有多组第一虹吸排孔,所述第二
导
模
板的狭缝面底部设置有第二虹吸...
郑东
王鑫
张兴姿
一种
导
模
法
生长氧化镓晶体的方
法
本发明提供了一种
导
模
法
生长氧化镓晶体的方
法
,属于晶体生长领域。本发明将氧化镓原料和
导
模
模
具加热,使所述氧化镓原料熔化,得到熔体和预热
模
具;通过毛细原理将所述熔体吸入所述预热
模
具表面,形成熔体层;下籽晶,使所述籽晶和所述熔...
夏宁
王琤
一种结合提拉
法
和
导
模
法
的晶体生长方
法
本发明公开了一种结合提拉
法
和
导
模
法
的晶体生长方
法
,属于晶体生长技术领域。本发明结合提拉
法
和
导
模
法
,在放肩期间晶体在熔体内自由放肩,放肩完成后晶体与
模
具接触实现等径生长。放肩过程中晶体直接接触的是熔体,不会存在熔体与
模
具温...
胡开朋
一种
导
模
法
生长晶体的热场结构及装置
本发明公开一种
导
模
法
生长晶体的热场结构及装置,涉及人工晶体技术领域。热场结构包括:第一保温体,第一保温体包括:第一通孔,设置在第一保温体的中心轴上;若干个第二通孔,两两对称设置在第一保温体的侧壁上,第一通孔与若干个第二个...
齐红基
黄东阳
秦娟
徐子骞
一种
导
模
法
氧化镓晶体的无损回熔方
法
一种
导
模
法
氧化镓晶体的无损回熔方
法
,步骤一,装籽晶,将
模
具置于坩埚中,装入氧化镓原料,将坩埚放置于保温筒中心,关炉,抽真空;步骤二,充保护气体;步骤三,升温;步骤四,采用
导
模
法
进行氧化镓晶体生长,在生长过程中晶体出现多晶...
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霍晓青
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