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晶圆装载系统、快速退火工艺机台、半导体设备
本实用新型提供一种晶圆装载系统、快速退火工艺机台、半导体设备。其中,所述晶圆装载系统能够在晶圆被放置或拾取之前,利用定位组件实现对晶圆相对边缘环的水平位置检测。其中,所述定位组件包括至少三个所述位置传感器。各个所述位置...
高帅李大川焦圣杰
一种监测快速退火设备稳定性的方法
本发明涉及一种监测快速退火设备稳定性的方法,属于快速退火设备监测技术领域。本发明的监测快速退火设备稳定性的方法,包括以下步骤:S1.通过在不同参数条件下的模拟计算,得出温度的规律;S2.分别根据模拟计算的参数进行实...
刘思淼张海宇李彦庆叶武阳徐志峰
一种用于发光二极体产品的快速退火方法
本发明涉及一种用于发光二极体产品的快速退火方法,旨在通过优化退火过程中的气体通入时机与多段式降温策略,减少制造过程中产生的内应力,并促进晶格缺陷的修复,提升LED产品的电压稳定性和亮度表现。该方法包括在真空环境中将LE...
吴霁圃王海红程叶
碳化硅晶圆快速退火用测温装置及晶圆快速退火设备
本实用新型提供了一种碳化硅晶圆快速退火用测温装置及晶圆快速退火设备。碳化硅晶圆快速退火用测温装置,晶圆载具上设有至少一个用于承载碳化硅晶圆的顶针,包括:支撑结构,支撑结构包括凸台,凸台的第一端与晶圆载具连接,凸台的...
张鹏冯尹
一种快速退火装置
本发明公开了一种快速退火装置,用于晶圆的处理,快速退火装置包括壳体、垂直腔面发射激光器和多个控制模块,壳体内限定出反应腔,晶圆位于反应腔内;垂直腔面发射激光器设有两个,且均位于反应腔内,两个垂直腔面发射激光器设置在晶...
王涛
碳化硅晶圆快速退火用导衬片及其制备方法和载具
本发明提供了一种碳化硅晶圆快速退火用导衬片及其制备方法和载具,导衬片用于对碳化硅晶圆进行辅助加,导衬片包括:衬片基体(1),衬片基体(1)的至少一侧的表面上设置有槽结构,槽结构至少包括第一凹槽结构(10),第一...
冯尹张鹏
快速退火设备的腔体的漏氧及温度监控的方法及系统
本发明公开了一种快速退火设备的腔体的漏氧及温度监控的方法及系统,其中方法包括以下步骤:将放入Ti片的腔体升温至723℃~727℃,保持50至70秒;测量Ti片的方块电阻的阻值和方块电阻阻值的均匀性;判断Ti片的方块电阻...
归剑王海红
碳化硅晶圆快速退火用导载具
本发明提供了一种碳化硅晶圆快速退火用导载具,包括:基板,基板为两个,两个基板相对地设置;连接结构,连接结构设置于两个基板之间,连接结构的两端分别与两个基板连接,连接结构和两个基板之间形成用于容纳碳化硅晶圆的容纳空间,...
冯尹张鹏
快速退火机台
本发明提供了一种快速退火机台。该快速退火机台包括反应腔室;边缘环,配置于所述反应腔室中,用于承载晶圆,所述边缘环与所述反应腔室的内壁之间形成供气体流经的环形间隙;多个气体引流件,配置于所述反应腔室内壁上;排气口,呈环...
徐鸿武
晶圆边缘保护装置和快速退火
本实用新型提供了一种晶圆边缘保护装置和快速退火炉。该晶圆边缘保护装置包括:边缘保护承载架;石英罩,设置于边缘保护承载架的内周侧,并与边缘保护承载架之间形成环形凹槽;边缘保护环,安装于环形凹槽内,并由石英罩进行承托。根据...
姚均豹郭建亮张凯林洋

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徐秋霞
作品数:366被引量:65H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
张卫
作品数:818被引量:301H指数:9
供职机构:复旦大学
研究主题:原子层淀积 晶体管 电极 存储器 隧穿
丁士进
作品数:220被引量:165H指数:8
供职机构:复旦大学
研究主题:原子层淀积 低介电常数 电荷 铜互连 快速热退火
孙清清
作品数:375被引量:8H指数:2
供职机构:复旦大学
研究主题:电极 存储器 原子层淀积 晶体管 底电极
陈琳
作品数:282被引量:65H指数:4
供职机构:复旦大学
研究主题:电极 底电极 晶体管 衬底 铁电