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相关作者
杨立杰
作品数:36
被引量:55
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
陈继义
作品数:38
被引量:45
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
林金庭
作品数:101
被引量:139
H指数:7
供职机构:南京电子器件研究所
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戴永胜
作品数:34
被引量:36
H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
陈堂胜
作品数:407
被引量:324
H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
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