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无显影气相光刻(DFVP)研究的进展
2002年
无显影气相光刻技术是我国在 1980年发明的一种独特的光刻技术 ,具有不需要显影 ,分辨率高等优点。但它的机理并不清楚。本文介绍十多年来在无显影气相光刻机理研究方面的成果。实验证明 ,无显影气相光刻是以光致光刻胶膜内的诱蚀剂浓度差为基础的方法 ;而传统的光刻方法是基于光致光刻胶膜溶解度差的方法。由于两者的光刻原理不同 ,导致了他们间光刻效果和应用范围之区别。所得机理研究之结果可以解释无显影气相光刻中的各种独特的现象并可指导无显影气相光刻技术的发展 。
洪啸吟李钟哲刘丹吴兵卢建平段生权陈明王培清
关键词：无显影气相光刻光刻胶二氧化硅氢氟酸分辨率
酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的方法，无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为：成膜物质：增感剂：光敏产酸物：溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
文献传递
有机碱催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊；光敏性刻蚀促进剂为带有叔胺基的...
王培清卢建平洪啸吟陈永麒
文献传递
酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
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碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8－9)∶(0.5－1.0)∶(0.8－1.0)∶90。采用...
段生权王培清张斌王小兵陈永麒洪啸吟
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溶胶-凝胶法制备二氧化硅膜及其无显影气相光刻被引量：3
1999年
为使无显影气相光刻应用于非硅衬底材料的刻蚀，扩宽其应用范围，研究了无显影气相光刻在溶胶 凝胶法制备的二氧化硅膜中的应用。通过对溶胶 凝胶化学过程的分析，考察了凝胶二氧化硅薄膜制备过程中的几个重要工艺参数，制备了结构均匀的二氧化硅薄膜。并将无显影气相光刻的方法应用于这种二氧化硅膜的刻蚀，通过优化后的光刻工艺参数得到了反差明显的光刻图形。
洪啸吟段生权陈明张斌王培清
关键词：溶胶-凝胶法二氧化硅无显影气相光刻光刻
无显影气相光刻机理研究
1998年
无显影气相光刻是我国首先发现的一项干法腐蚀技术。通过对其机理的不断研究发现，添加在光刻胶中的添加剂促进HF气体在高温下离解得到活性氟阴离子是刻蚀反应得以发生的首要条件和关键；曝光后成膜物结构变化对添加在其中的小分子诱蚀剂的栅栏作用是在曝光区与非曝光区形成反差的条件；图形的高分辨率与高纵宽比也得到了合理的解释。在机理研究的过程中，新的无显影气相光刻的方法（如高分子诱蚀剂及超强酸作为诱蚀剂的方法）得以发展及研究。
段生权卢建平洪啸吟
关键词：干法腐蚀
超强酸催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的增感剂可用吩噻嗪、N-苯基吩塞嗪、二苯甲酮、蒽、安...
洪啸吟卢建平王培清陈永麒
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有机碱催化的无显影气相光刻胶
一种无显影气相光刻胶，属于光刻技术领域。本发明光刻胶由成膜物质，光敏剂、具有光敏性的刻蚀促进剂和溶剂组成，所说的成膜物质为可紫外光固化的光敏树脂如肉桂酸酯类树脂、丙烯酸类树脂。所说的光敏剂可用5-硝基苊，安息香二甲醚、二...
王培清卢建平洪啸吟陈永麒
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无显影气相光刻在大功率晶闸管元件生产中的应用
1995年
由于无显影气相光刻（ＤＦＶＰ）具有分辨率高、针孔密度低、光刻流程短、设备简单、成本低等优点，因此将其应用于晶闸管元件的生产具有非常重要的实际意义．本文在系统地研究ＤＦＶＰ机理的基础上，提出了新的配方，解决了刻蚀厚二氧化硅（ＳｉＯ２）层的关键技术问题。
王培清卢建平陈永麒
关键词：晶闸管光刻氧化层无显影气相光刻
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洪啸吟
作品数：117被引量：628H指数：13
供职机构：清华大学
研究主题：无显影气相光刻 涂料 光固化 光刻 光刻胶
王培清
作品数：38被引量：32H指数：4
供职机构：清华大学
研究主题：无显影气相光刻 光刻胶 晶闸管 刻蚀 曝光量
卢建平
作品数：12被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学
研究主题：无显影气相光刻 曝光量 光刻 甲胺基 刻蚀深度
段生权
作品数：10被引量：19H指数：2
供职机构：清华大学
研究主题：无显影气相光刻 光刻胶 氮化硅 刻蚀 二氧化硅
陈永麒
作品数：14被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学
研究主题：无显影气相光刻 半导体二极管 成膜物质 氮化硅 光刻胶