搜索到1397篇“ 氮化镓器件“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
氮化镓器件及其制备方法
本申请实施例提供了一种氮化镓器件及其制备方法，该氮化镓器件包括外延层，外延层上设置有栅电极，栅电极下方的外延层中具有多个Y型纳米沟道，其中，多个Y型纳米沟道由两排相互对立排列的楔形凹槽形成。本申请实施例至少解决了相关技术...
武盛代云飞张煜别业楠刘海军李文明
一种氮化镓器件结构及其制备方法
本申请提供了一种氮化镓器件结构及其制备方法，该方法首先提供氮化镓器件，氮化镓器件包括依次层叠的衬底、外延结构，然后再对氮化镓器件的进行预设剂量和预设能量的辐照处理，通过辐照处理在外延结构中引入缺陷，实现对外延结构的内部陷...
吕纲丁晓峰李林彭律章许童童程若昀
一种氮化镓器件以及制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底；沟道层，位于衬底的一侧；复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧；第...
宋亮陈扶赵杰黄兴杰尹杰
一种氮化镓器件以及制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底、沟道层和复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一...
宋亮陈扶赵杰
一种氮化镓器件及氮化镓封装结构
本发明公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，具体涉及氮化镓封装技术领域，包括氮化镓器件本体，所述氮化镓器件本体包括底封装件，所述底封装件的底端设有第二封装框，所述底封装件、第二封装框之间设有氮化镓芯片；本发明，通过设置底...
李慎初
一种功率氮化镓器件及其形成方法
一种功率氮化镓器件及其形成方法，本发明涉及功率半导体器件，在晶圆制造过程中缓冲层内会形成晶体缺陷，在晶体管关断及高漏极偏压的状态下，电子会从衬底注入并被捕获在缓冲层内的晶体缺陷中，为克服捕获的电子对器件造成的影响，本发明...
伍震威单建安
集成过压保护的氮化镓器件驱动电路
本发明涉及一种集成过压保护的氮化镓器件驱动电路，包括：依次连接的驱动模块、反馈控制模块和升压转换模块；升压转换模块用于输出驱动电路的输出电压，所述升压转换模块的反馈电压输出端将输出电压反馈至所述反馈控制模块；反馈控制模块...
朱昱豪崔苗方志成苏昊东刘雯
基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法
本发明涉及一种基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法，属于半导体检测技术领域，包括：在共聚焦拉曼成像显微镜的二次谐波模式下检测单晶氮化镓表面镓富集区域与非镓富集区域的二次谐波强度，只有镓富集区域产生二次谐波增强现象...
刘铎杨伟远何玉征
基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法
本发明涉及一种基于二次谐波增强的氮化镓器件富镓缺陷检测方法，属于半导体检测技术领域，包括：在共聚焦拉曼成像显微镜的二次谐波模式下检测单晶氮化镓表面镓富集区域与非镓富集区域的二次谐波强度，只有镓富集区域产生二次谐波增强现象...
刘铎杨伟远何玉征
一种基于氮化镓器件的隔离型高频双有源桥变换器
本发明公开了一种基于氮化镓器件的隔离型高频双有源桥变换器，包括：高压三相全桥电路模块、低压三相全桥电路模块、三相传能电感、三相高频同轴变压器以及DSP模块；本发明提出的隔离型高频双有源桥变换器结构对称简单，其中的电力电子...
官权学何元烈冯君璞雷雯霆龙江游
加载更多 ∨

相关作者

郝跃
作品数：2,568被引量：1,233H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
陈堂胜
作品数：421被引量：344H指数：9
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
刘新宇
作品数：886被引量：313H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
魏珂
作品数：227被引量：70H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
张进成
作品数：1,023被引量：116H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极