搜索到84篇“ 汞镉碲“的相关文章
- 汞镉碲作业人员的职业危害分析
- 1991年
- 某研究所研制生产红外探测器,首先需采用汞镉碲等金属合成半导体材料,其中汞含量最高,在800℃高温熔炼过程中,密封金属的容器石英管常发生裂隙或爆炸,以致大量汞蒸气逸出,实验室内外烟气弥漫,长期接触对机体可导致严重危害。为此。
- 赵鹏远陈洪域汪同楫王治仁过复康
- 关键词：汞镉碲
- 垂直Bridgman法生长汞镉碲晶体在微重力状态下的对流传热及传质的数值模拟
- 贺开颜
- 关键词：传热传质数值模拟微重力
- HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂被引量：16
- 2004年
- 主要研究具有倒置能带结构的n HgTe HgCdTe第三类量子阱Shubnikov deHaas(SdH)振荡中的拍频现象 .发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂 ,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析 :SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合 ,得到了完全一致的电子Rashba自旋分裂能量 (2 8— 3 6meV)
- 仇志军桂永胜疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：汞镉碲半导体异质结
- 用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(上)
- 1999年
- 本文介绍我们在利用分子束外延技术生长HgCdTe材料方面对改进材料质量、重复性和柔软性所取得的进展。根据一定的判断标准,对超过100片的n型外延片的载流子浓度和迁移率、晶体缺陷密度和位错密度给出了统计数据和成品率。另外,还给出了少数载流子寿命的数据。在降低杂质浓度方面,经过不断的改进,我们已经获得可重复的、n型低载流子浓度:(2-10)×10^(14)cm^(-3),而且电子迁移率很高。数据表明,低位错密度的薄膜是在CdZnTe衬底上生长出来的,衬底中Zn的浓度范围可以很宽。从九次生长材料的结果来看,首先在实验演示方面取得了成功,可以进一步评价材料质量的可重复性和波段调节方面的可适应性。这些结果证明:用分子束外延(MBE)技术来柔性制造HgCdTe红外焦平面列阵的材料是很有前途的。
- D.D.EDWALL贡树行
- 关键词：分子束外延汞镉碲
- MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究
- 1999年
- 用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性，测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区，结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．
- 黄根生姬荣斌方维政杨建荣陈新强何力
- 关键词：MBE汞镉碲
- 分子束外延HgCdTe材料的光致发光研究被引量：2
- 1999年
- 报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光致发光的测试结果进行拟合得到的禁带宽度， 与用红外透射谱得到的薄膜禁带宽相近； 其半峰宽和带尾能量较小， 显示了较高的薄膜质量。样品经过退火后带尾能量降低，
- 姬荣斌常勇王善力杨建荣何力
- 关键词：光致发光分子束外延汞镉碲
- Hg_(1-x)Cd_xTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应
- 1999年
- 在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：俄歇电子能谱汞镉碲
- 长的中波红外HgCdTe平接线列阵(下)
- 1999年
- 5.1500元中波红外IRCMOS平接列阵的性能在这一节中,我们给出从一个工作于3μm～5μm波段的1500元平接线列上获得的表征结果。
- Jean Paul Chamonal高国龙
- 关键词：中波红外器件汞镉碲
- 用分子束外延生长技术来改进HgCdTe材料的特性和重复性(下)
- 1999年
- 3.5.2,载流子的迁移率图7表示我们用分子束外延技术生长的外延层材料在77K时的电子迁移率与组分的关系,组分对应的波段范围从中波红外一直到超长波红外。长波红外(X=0.23)材料的典型迁移率是大于1×10~5cm^2/V.S。图中的实心线是为了帮助眼睛看清楚而画出来的。
- D.D.EDWALL贡树行
- 关键词：载流子迁移率汞镉碲分子束外延生长
- 工作在中红外波段的集成双色HgCdTe探测器性能和分子束外延生长
- 1999年
- 第一次报导了HgCdTe双色探测器的性能和它的分子束外延生长材料,这种器件能同时探测4.1μm和4.5μm的辐射。在原位进行掺杂的器件具有n-p-n结构,是由分子束外延技术在(211)BCdZnTe衬底上生长出来的。在X射线摆动曲线极大值的半高处、具有全宽度所显示出来的代表性结构是40-60arc-s。在这些结构中,典型的近表面腐蚀坑密度是(4-7)×10~6cm^(-2)。器件是以台面二极管的形式制作的,电极做到两个n型外延层和一个p型外延层上,以便使两个p-n结能同时工作。这种器件的光谱响应特性在两个波段能突然开启和关闭,77K的R_oA>5×~5Ωcm^2。探测器在两个波段的量子效率均>70%。
- R.D.RAJAVEL贡树行
- 关键词：分子束外延汞镉碲双色探测器
相关作者
- 褚君浩
- 作品数：841被引量：1,055H指数：13
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
- 汤定元
- 作品数：91被引量：109H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：HG CD HGCDTE 红外探测器 碲镉汞
- 桂永胜
- 作品数：43被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：二维电子气 HGCDTE X HG CD
- 杨建荣
- 作品数：197被引量：227H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：碲镉汞 碲锌镉 液相外延 HGCDTE 分子束外延
- 郑国珍
- 作品数：49被引量：79H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
- 研究主题：HGCDTE HG CD X 碲镉汞
