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抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长方法及装置
在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中,其在生长炉(1)中通过提线(7)上拉晶种(Z)来生长硅单晶(Y),一个磁环(12)被安装在硅单晶上,一个电磁体(8)被固定于生长炉上以便上拉磁环。
匡人渡邉
文献传递
抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中,其在生长炉(1)中通过提线(7)上拉晶种(Z)来生长硅单晶(Y),一个磁环(12)被安装在硅单晶上,一个电磁体(8)被固定于生长炉上以便上拉磁环。
匡人渡边
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直拉法生长大尺寸TeO_2单晶生长条纹的探讨被引量:2
1997年
TeO2单晶体具有优良声光性能,生长大尺寸TeO2单晶经常遇到的问题之一是晶体生长条纹,致使单晶质量下降,严重影响声光器件的正常使用。我们通过多年的探索,初步掌握了产生多种生长条纹的机理。根据直拉法晶体生长理论以及不同的生长条纹,我们采取了以下措施:(1)选择合适的拉晶方向。对于TeO2单晶来说[001]方向生长,极易出现系属结构即表面出现竖向生长条纹。[001]方向为粗糙界面,极易产生生长条纹。而[110]方向生长,晶体界面是光滑界面,不易产生生长条纹,这从结构上最大限度地消除了产生竖向表面生长条纹的问题。因此,我们选择[110]方向来生长单晶。(2)选用位错密度小的优质籽晶作晶种。TeO2单晶生长生长方向为[110],发现仍然有些晶体表面有丝状条纹,以至延伸到晶体内部。我们认为主要是籽晶遗传所引起的。最好用不同方向生长的晶体来切[110]籽晶,或者用旋转的方向来切[110]籽晶,且每根籽晶必须经位错密度检查。(3)保持平界面或微凸界面生长。TeO2单晶在生长过程中,我们采用变转速以及变拉速的方法,始终保持平界面或微凸界面生长,使得晶体始终从中心部位向边缘部位结晶,这样,晶体不易变形,避免发生平面及底面?
钱叙法
关键词:引上法晶体生长晶体生长直拉法
KTP晶体中包裹体及生长条纹的电镜研究
魏明刘军
关键词:晶体生长条纹电子显微镜矿物包体
非掺LECSI-GAAS生长条纹的显示
该项研究用光腐蚀法显示非掺LEC半绝缘GaAs单晶的生长条纹,观察了不同腐蚀剂的显示效果,确立了一种显示非掺半绝缘GaAs生长条纹的常规方法。根据生长条纹的形态和分布,结合晶体生长后的特性,便可找出各个工艺条件对晶体生长...
关键词:
基于计算机视觉的高温下单晶体氧化物生长形态检测方法
本发明公开了基于计算机视觉的高温下单晶体氧化物生长形态检测方法,包括;建立EfficientNET卷积神经网络;在EfficientNET卷积神经网络的卷积层中的选取分辨率、深度和宽度三个维度中的一个维度进行调整;得到优...
赵韦仑王艳赵琰毕孝国董颖男唐坚
一种马达西奇弓矢般PD-X160机载晶体硅棒生长
本发明涉及生长炉领域,具体涉及一种马达西奇弓矢般PD-X160机载晶体硅棒生长炉,包括炉体、炉盖和加热组件,限位槽304加热组件包括加热器、坩埚、驱动机构、坩埚支撑柱、石墨槽、电极、底座、排气管和进气管;炉体为晶体加工反...
张雪
单晶金刚石以及具备该单晶金刚石的金刚石复合体
一种单晶金刚石,其中,该单晶金刚石具有与生长主面平行的生长条纹和低指数晶面,在上述单晶金刚石的至少一部分中,上述生长条纹相对于上述低指数晶面具有偏离角。
西林良树左亦康李真和寺本三记小林丰角谷均
单晶硅的制造方法
本发明提供一种单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法具备形成单晶硅的肩部的肩部形成工序和形成单晶硅的直体部的直体部形成工序,在肩部形成工序中,以如下方式形成肩部:该肩部由在肩部的径向整个区域中产生的生长条纹中其外缘部未延...
鸣嶋康人久保田利通
单晶提拉装置及单晶提拉方法
本发明是一种单晶提拉装置,具备:提拉炉,其配置有加热器和坩埚并具有中心轴;以及磁场产生装置,其具有超导线圈,磁场产生装置具有四个超导线圈,在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中,各两个超导线圈配置为相...
高野清隆矢岛涉菅原孝世鎌田洋之太田友彦
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研究主题:SUB 微晶玻璃 稀土离子掺杂 能量分辨率 时间分辨率
许辉
作品数:9被引量:6H指数:1
供职机构:青岛大学物理科学学院
研究主题:KDP晶体 表面层 ADP晶体 DAST 混晶
周忠祥
作品数:194被引量:248H指数:8
供职机构:哈尔滨工业大学
研究主题:单晶 光折变 等离子体 电控 钽
滕冰
作品数:169被引量:162H指数:7
供职机构:青岛大学
研究主题:晶体 晶体生长 DAST YB 籽晶