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一种金刚石生长温度调节装置: 本实用新型公开了一种金刚石生长温度调节装置，包括水冷台，设于水冷台上用于生长金刚石的钼台，以及设于水冷台上用于对钼台进行温度调节的温度调节机构；温度调节机构包括换热机构，以及与钼台相连的水热循环机构；换热机构包括与水热循...; 袁稳侯淅燕李兵

一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺: 本发明公开了一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，包括以下步骤:监测硅棒多个圈层表面温度，选择其中温度波动小、且相对位于硅棒外部圈层的表面温度作为自控源数据；根据硅棒生长恒温加热时段，选取硅棒表面温度自控源数...; 万滴刘振春王长青

一种便于调节生长温度的微波反应装置: 本实用新型公开了一种便于调节生长温度的微波反应装置，属于晶体生长设备领域。包括有微波谐振腔体，微波谐振腔体内设置有生长台，生长台上方设置有生长基台，生长台上连接有冷却机构，生长基台上连接有升降机构。升降机构能够控制生长基...; 冀成相李再强廖佳

一种可调节生长温度的圆柱谐振腔MPCVD设备: 本实用新型公开了一种可调节生长温度的圆柱谐振腔MPCVD设备，属于金刚石加工培育技术领域，其技术方案要点包括MPCVD制备罐，所述MPCVD制备罐内部的底侧设置有等离组件，所述MPCVD制备罐的底部设置有吸空组件，通过设...; 侯淅燕袁稳郑怡郑华

碲锌镉晶体生长温度梯度与界面形状稳定性关系的研究: 2024年; 碲锌镉晶体被广泛用作红外探测器碲镉汞薄膜的外延衬底和制造室温核辐射探测器。在晶体生长过程中,界面形状与热量传输状态密切相关。本文结合数值模拟技术控制碲锌镉晶体生长过程中温度场分布,设计了垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固法微凸固液界面的晶体生长程序,并根据实际晶体生长实验,分析了晶体生长方法差异与碲锌镉晶体单晶率之间的关系。通过光致发光谱进行成分测试获得了碲锌镉晶体等径段纵截面中Zn值分布谱图,以研究固液界面温度场分布与晶体Zn值宏观偏析之间的关系。结果表明,在晶体生长过程中固液界面两侧温场梯度分布对界面的形状选择和稳定性有重要影响,更大的固相侧温度梯度有助于实现稳定的凸界面晶体生长,从而提高晶体成晶率。; 曹聪刘江高范叶霞李振兴周振奇马启司牛佳佳; 关键词：碲锌镉晶体数值模拟晶体生长宏观偏析

可封闭式植物生长温度控制箱: 本实用新型涉及植物种植箱技术领域，且公开了可封闭式植物生长温度控制箱；包括箱体，所述箱体的内部开设有栽种室，所述栽种室内部的两侧均固定连接有支撑板，两个所述箱体之间的顶部均滑动连接有滑动板，所述滑动板的顶部安装有栽种碗，...; 朱浩宇沈焱关世传

独蒜兰形态生理特征对不同生长温度的响应: 2024年; 为探究独蒜兰对温度的响应机制,对独蒜兰在昼夜温度为32/27℃(高温)、26/21℃(中温)和20/15℃(低温)3个温度处理下的叶片形态、生理特性和生物量分配进行研究。结果显示:(1)高温处理会显著减少根系的生物量分配。(2)高温和低温处理显著降低叶片长度和气孔面积,但是可提高气孔密度。中温处理植株的最大净光合速率、气孔导度、叶肉导度、电子传递速率、Rubisco的最大羧化速率和相对叶绿素含量都显著高于其它2个处理,表明生长温度过高或过低均对独蒜兰的光合能力产生抑制作用。(3)从膜稳定性来看,高温和低温处理均增加了独蒜兰叶片的相对电导率。(4)高温处理还使叶片的丙二醛含量、过氧化氢和超氧阴离子含量升高,同时伴随着超氧化物歧化酶活性的上升。可得结论:生长温度显著影响独蒜兰的生理功能和生物量分配,高温通过抑制光合作用、增加活性氧积累和膜指过氧化而引起独蒜兰的胁迫响应。研究结果可为阐明独蒜兰属植物的温度适应机制和制定人工栽培措施奠定基础。; 贺膑张石宝; 关键词：独蒜兰光合作用活性氧膜脂过氧化

一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚: 本发明涉及一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的物理气相运输法坩埚结构，属于晶体生长中的热场设计技术领域。一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体顶部外表的石墨材质的环形散...; 高冰叶宏亮李俊

一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚: 本发明涉及一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的物理气相运输法坩埚结构，属于晶体生长中的热场设计技术领域。一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体顶部外表的石墨材质的环形散...; 高冰叶宏亮李俊

一种便于调节生长温度的微波反应装置: 本发明公开了一种便于调节生长温度的微波反应装置，属于晶体生长设备领域。包括有微波谐振腔体，微波谐振腔体内设置有生长台，生长台上方设置有生长基台，生长台上连接有冷却机构，生长基台上连接有升降机构。升降机构能够控制生长基台深...; 冀成相李再强廖佳

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