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电吸收调制器
一种光电子设备，包括：绝缘体上硅（SOI）衬底，衬底包括：硅支撑层；在硅支撑层的顶部上的掩埋氧化物（BOX）层；以及在BOX层的顶部上的硅设备层；波导区，其中硅设备层的一部分和BOX层的在该设备层的该部分下方的一部分已经...
余国民A·J·齐尔基
一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法
本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器(1)。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设...
蔡艳代德华王书晓
一种电吸收调制器
本实用新型公开一种电吸收调制器，包括衬底、第一壁垒层、第一量子阱层、第二量子阱层；所述衬底和所述第一壁垒层、所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间应力搭配层叠设置；所述第一壁垒层贴合在所述衬底上，所述第一量子阱层和所述第...
文博昱吴芳
一种电吸收调制器
本申请实施例提供了一种电吸收调制器，所述电吸收调制器用于对连续光进行调制并输出调制后的光信号，所述电吸收调制器包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的第一光吸收层和第二光吸收层，所述第一光吸收层和所...
胡晓张宇光陈代高肖希王磊刘敏刘佳张红广徐路
一种电吸收调制器
本实用新型公开了一种电吸收调制器，包括衬底、多量子阱结构以及覆盖层，所述衬底、所述多量子结构以及所述覆盖层层叠设置；所述多量子阱结构层叠在衬底表面；在所述多量子阱结构顶表面设置所述覆盖层；所述多量子阱结构由多个半导体层组...
文博昱
一种电吸收调制器
本发明公开一种电吸收调制器，包括衬底、第一壁垒层、第一量子阱层、第二量子阱层；所述衬底和所述第一壁垒层、所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间应力搭配层叠设置；所述第一壁垒层贴合在所述衬底上，所述第一量子阱层和所述第二量...
文博昱吴芳
电吸收调制器激光器及其制备方法
本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中...
韩宇
电吸收调制器激光器及其制备方法
本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中...
韩宇
一种电吸收调制器及其制备方法
本发明涉及一种电吸收调制器及其制备方法。该电吸收调制器包括第一脊波导、第二脊波导和楔形波导；其中，所述第一脊波导与所述第二脊波导为对接耦合；所述第一脊波导的平板区和脊区分别高于所述第二脊波导的平板区和脊区；所述楔形波导的...
李志华周国奇李彬尹旺旺
具有改进的光电均匀性的电吸收调制器
本公开的各实施例涉及具有改进的光电均匀性的电吸收调制器。公开了一种集成的电吸收调制器(EAM)，其被构造和/或操作以改进沿有源区的光电流密度的均匀性。在各种实施例中，这种改进是由于增加了EAM的后部处的光吸收，例如是通过...
J·帕克
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王圩
作品数：368被引量：193H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
赵玲娟
作品数：202被引量：123H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单片集成 激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 半导体激光器
朱洪亮
作品数：253被引量：107H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 多量子阱 磷化铟 分布反馈激光器 半导体激光器
孙长征
作品数：191被引量：203H指数：7
供职机构：清华大学
研究主题：波导 电吸收调制器 分布反馈半导体激光器 氮化镓 电光调制器
熊兵
作品数：154被引量：99H指数：5
供职机构：清华大学
研究主题：波导 电吸收调制器 电光调制器 分布反馈半导体激光器 光电子器件