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等离子刻蚀
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种用于半导体制造的ICP
等离子
刻蚀
装置
本实用新型公开了一种用于半导体制造的ICP
等离子
刻蚀
装置,涉及半导体制造技术领域,包括
等离子
刻蚀
箱体和清扫组件,所述
等离子
刻蚀
箱体的顶部内壁设置有送气管,所述
等离子
刻蚀
箱体的底部内壁固定连接有提升架,用于进行清扫的所述清...
王硕
等离子
刻蚀
腔的加工时间预测方法、系统及维护方法
本发明提供一种
等离子
刻蚀
腔的加工时间预测方法、系统及维护方法,该加工时间预测方法通过实验获取新制程下与边缘环材质相同或相近的测试控片边缘的至少一个位置的消耗速率,作为新制程下边缘环的对应位置的消耗速率,由此可以根据现有制...
请求不公布姓名
基于硼靶材磁控溅射的
等离子
刻蚀
方法和镀膜方法
本发明公开基于硼靶材磁控溅射的
等离子
刻蚀
方法和镀膜方法,属于薄膜材料制备技术领域。
等离子
刻蚀
方法包括:在磁控溅射设备真空室中,样品架上安装基片,阴极上安装硼靶材;对磁控溅射设备真空室抽真空,通入氩气,对所述基片施加双极脉...
刘凤琼
卢子伟
李荣华
张宏斌
李海霞
李占奎
王秀华
陈翠红
电感耦合
等离子
刻蚀
技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法
本发明公开电感耦合
等离子
刻蚀
技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法,包括以下步骤:1)制备卤化物钙钛矿薄膜;2)
离子
刻蚀
阵列图形:在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板,掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应,利用电感耦合
等
...
赵振璇
张建刚
孙伟杰
陈墨
冯雅晴
一种晶圆
等离子
刻蚀
设备
本说明书实施例提供一种晶圆
等离子
刻蚀
设备,包括:热台,晶圆放置于热台上,热台周向边缘处开设有若干气体馈入孔;管道组件,管道组件用于向若干气体馈入孔内通入气体;调节机构,调节机构可对若干气体馈入孔吹向晶圆的气体速度和/或气...
向浪
王兆祥
李可
涂乐义
梁洁
王亮
彭国发
电场分布调节装置和
等离子
刻蚀
机
本发明公开了一种电场分布调节装置,包括第一屏蔽板和第二屏蔽板;第一屏蔽板设有镂空孔;第二屏蔽板和第一屏蔽板相连,并且两个屏蔽板能相对运动;第二屏蔽板相对于第一屏蔽板运动时能够调节镂空孔的开度。第一屏蔽板和第二屏蔽板分别能...
郭颂
王海东
刘磊
张彪
贺小明
张亦涛
胡冬冬
许开东
等离子
刻蚀
机及其辅助电场变径装置
本发明公开了一种
等离子
刻蚀
机的辅助电场变径装置,包括屏蔽板,所述屏蔽板能屏蔽电场,且所述屏蔽板的中部设有透孔;所述屏蔽板为整块板,并且所述屏蔽板为多个,各所述屏蔽板的透孔尺寸不同;或者所述屏蔽板包括多个活动屏蔽板,各所述...
郭颂
王海东
刘磊
刘小波
贺小明
张亦涛
胡冬冬
许开东
等离子
刻蚀
装置
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种
等离子
刻蚀
装置,包括静电吸盘、聚焦环以及支撑环,所述支撑环设置在所述静电吸盘上,所述聚焦环设置在所述支撑环的上方,所述聚焦环的下表面设置有第一斜面,所述支撑环的上表面设置有与...
叶璘珂
陈诚
张德伟
荆泉
一种
等离子
刻蚀
装置
本发明公开了一种
等离子
刻蚀
装置,包括:真空腔体、上电极、下电极和上下电极运动装置;其中所述上电极和所述下电极均位于所述真空腔体内,上下电极运动装置包括传动杆和直线电机。在
刻蚀
的整个过程中,既需要加热又需要冷却,由于在
刻蚀
...
崔岸
郝裕兴
张睿
陈宠
刘芳芳
刘天赐
黄显晴
杨伟丽
徐晓倩
射频系统和
等离子
刻蚀
设备
本申请提供一种射频系统,用于
等离子
刻蚀
设备,所述射频系统包括:射频发生器,用于产生射频信号;阻抗匹配器,与所述射频发生器信号连接,用于接收、传输所述射频信号并根据所述射频信号自修改匹配阻抗;线圈组,用于接收所述阻抗匹配器...
翟大磊
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相关作者
夏洋
作品数:513
被引量:68
H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
李勇滔
作品数:197
被引量:23
H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体 SUB 硅衬底 射频电源 离子注入
张庆钊
作品数:48
被引量:27
H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:启辉 原子层沉积 等离子体 刻蚀工艺 电极
席峰
作品数:27
被引量:0
H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:启辉 电极 等离子体 等离子刻蚀 进气结构
李楠
作品数:134
被引量:19
H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
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