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2025年4月18日星期五

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功率器件用终端结构: 本发明涉及一种功率器件用终端结构。其包括：半导体衬底，终端主结构，至少包括横向型JTE区以及第一导电类型截止环；浮空场板单元，浮空场板单元包括若干浮空场板环，每个浮空场板环均环绕包围半导体衬底的有源区；金属场板单元，金属...; 李哲锋许生根杨晓鸾孔凡标李磊

SGT器件的终端结构: 本发明公开了一种SGT器件的终端结构，原胞区中的第一沟槽平行排列。终端区环绕在原胞区的周侧，位于第一沟槽的排列方向上两侧的第一方向终端区中的第一终端结构包括填充于和第一沟槽平行的第二沟槽中的第二屏蔽介质层和连接源极的第二...; 曾大杰

一种半导体器件终端结构及其制备方法: 本发明公开一种半导体器件终端结构及其制备方法，包括宽禁带N型掺杂衬底、N型掺杂漂移区、P型掺杂埋层、N型掺杂电流扩散层，该终端结构靠近阳极的一端形成主结区，远离阳极的一端为切割道，中间为终端区；将终端区上部刻蚀为包括主沟...; 吴阳阳郭飞王宽袁俊成志杰陈伟

一种快恢复二极管器件的终端结构及其制造方法: 本发明公开了一种快恢复二极管器件的终端结构及其制造方法，具体涉及功率半导体器件技术领域，终端结构包括N型衬底及形成在N+衬底层上的N‑外延层，N‑外延层终端区的场限环内设有若干刻蚀形成的上宽下窄阶梯状的深沟槽，且深沟槽一...; 周鸣涛禹小军杭华

一种超级结器件终端结构及其制备方法: 本发明涉及一种超级结器件终端结构及其制备方法，终端结构包括：至少一个第一P型外延层、若干N型掺杂区、第一N型外延层和若干第二P型外延层；至少一个第一P型外延层、第一N型外延层依次层叠设置；若干N型掺杂区从第一P型外延层的...; 温建功杨乐张朝阳陈桥梁郑丽君尚秋晨

半导体功率器件的终端结构及其制备方法: 本发明提供一种半导体功率器件的终端结构及其制备方法，半导体功率器件的终端结构包括：衬底层；位于衬底层上的外延层，外延层包括有源区和包围有源区的终端区；位于外延层的终端区中的多个间隔设置的场限环，多个场限环沿有源区至终端区...; 孙博韬张园览张志朋

功率器件的终端结构、制备方法和功率器件: 本申请公开了一种功率器件的终端结构、制备方法和功率器件，终端结构包括衬底；外延层，外延层位于衬底的一侧，外延层具有第一掺杂类型，外延层具有背离衬底的第一表面；多个外延区，外延区位于外延层背离衬底的一侧，外延区沿着第一方向...; 李理

一种引入隔离环的器件终端结构及其制备方法: 本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种引入隔离环的器件终端结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极和场氧化层，其中半导体外延层包括N衬底层和N漂移层，所述N漂移层通过离子注入形成有源区、主结以及多区结终端拓展结构，...; 许一力李鑫刘倩倩

一种具有横向变掺杂的终端结构及其制备方法: 本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有横向变掺杂的终端结构，包括金属漏极、半导体外延层以及源极金属，其中半导体外延层包括衬底层和扩散层，所述扩散层包括有源区、主结以及多区结终端拓展结构，所述源极金属包括有左右两...; 许一力李鑫刘倩倩

具有改进的终端结构的屏蔽栅沟槽式功率器件: 本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中，第一类型体区形成于有源区内，第一类型电场降低区形成于第一终端沟槽与栅沟槽的沟槽末端之间交叉区域的相邻区域；第一类型电场降低区形成于第一类型体区和第...; 徐琳

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张波: 作品数：4,960被引量：7,029H指数：42; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：功率半导体器件半导体功率器件电能传输系统无线导电类型

乔明: 作品数：620被引量：131H指数：7; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导电类型功率半导体器件半导体功率器件比导通电阻击穿电压

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