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2025年4月19日星期六

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搜索到577篇“ 调制激光器“的相关文章

可调谐电吸收调制激光器及其制备方法: 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，...; 周代兵安欣贺卫利梁松赵玲娟王圩

一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法: 本发明公开了一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法，该激光器包括：衬底以及依次排列在衬底上的位于同一平面的第一调制器区、第一增益区、光栅区、第二增益区和第二调制器区；第一调制器区和第二调制器区的构成材料中均掺杂有磷离...; 姚广峰付文锋

一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法: 本发明涉及光通信领域，尤其涉及一种具有窗口区的电吸收调制激光器芯片及其制备方法，通过本发明的方法在原有LD区、EA区的基础上，再选择性外延生长出窗口区，三段式结构设计和选择区域外延制备技术使设置的窗口区能有效改善出光面光...; 张林建张翔思章曙东王陈

集成马赫-曾德尔干涉型调制器的外调制激光器芯片: 本实用新型公开了一种集成马赫‑曾德尔干涉型调制器的外调制激光器芯片，包括一激光器、一光学合束器和两根相位调制光波导，激光器带有两根波导以实现同向双输出；所述激光器通过直流供电；所述激光器为连续激光器；光学合束器具有双输入...; 王中和

一种电吸收调制激光器的制造方法和电吸收调制激光器: 本发明涉及激光器制造技术领域，具体涉及一种电吸收调制激光器的制造方法和电吸收调制激光器。制造方法包括以下步骤：提供多量子阱结构；多量子阱结构包括电吸收调制区、波导区和激光光源区，波导区位于电吸收调制区和激光光源区之间；在...; 冷祥刘刚魏明李明欣

电吸收调制激光器及其制备方法: 本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上表面生长有源层，其中，有源层包括第一有源区、第二有源区、第三有源区，第一有源区、第二有源区、第三有源区分别位于第一调制器区、激光器区、第二调制器区内；在第...; 周代兵安欣贺卫利陆丹梁松赵玲娟

一种电吸收调制激光器及其制造方法: 本发明提供一种混合波导结构电吸收调制激光器及其制造方法，DFB区域与EAM区域分别具有BH结构与深刻蚀Ridge结构的波导，基于该混合波导结构电吸收调制激光器一体成型，解决了混合结构波导的对准问题。本发明制造工艺简单稳定...; 李玉同黄马波

一种新型电吸收调制激光器制造方法: 本发明公开了一种新型电吸收调制激光器制造方法，涉及电吸收调制激光器技术领域；而本发明包括DFB区域为BH掩埋波导与Ridge波导相混合的波导结构，BH掩埋结构可以为P‑N blocking或者为半绝缘SIblocking...; 李玉同黄马波

一种高速电吸收调制激光器的封装结构: 本发明公开了一种高速电吸收调制激光器的封装结构，属于光通信技术领域，能够解决现有封装结构封装成本高，器件功耗大的问题。所述封装结构包括：管座，其上设有射频引脚和第一芯片正极引脚；第一基板，竖直设置在管座上，其上贴装有滤波...; 张磊李马惠潘彦廷刘钿董延

一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法: 本发明涉及一种高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法，包括DFB激光器和EA调制器，DFB激光器的一端刻蚀出凹槽，EA调制器二次外延生长于凹槽内，EA调制器包括缓冲层、EA有源区、InP层、一次掩埋结构和二次掩埋结构，EA...; 高承浩章曙东

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梁松: 作品数：156被引量：27H指数：4; 供职机构：中国科学院半导体研究所; 研究主题：激光器波导半导体激光器光栅盖层

赵玲娟: 作品数：202被引量：123H指数：6; 供职机构：中国科学院半导体研究所; 研究主题：单片集成激光器分布反馈激光器电吸收调制器半导体激光器

周代兵: 作品数：43被引量：12H指数：2; 供职机构：中国科学院半导体研究所; 研究主题：激光器电吸收调制器电吸收调制激光器单片集成光栅

王圩: 作品数：368被引量：193H指数：7; 供职机构：中国科学院半导体研究所; 研究主题：激光器分布反馈激光器电吸收调制器硅基单片集成

祝宁华: 作品数：714被引量：314H指数：10; 供职机构：中国科学院半导体研究所; 研究主题：激光器光电振荡器微波信号强度调制器半导体激光器