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超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法: 本发明公开了一种超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法，包括一种改良型阴极法兰盘及一种改良型车削加工方法。一种改良型阴极法兰盘包括法兰盘盘体，通孔，凸台，盛铟槽，定位销，排铟槽。一种改良型车削加工方法为针对超二...; 苏德坦何玄高海鹏褚祝军冯辉潘治云杨振王乙瑾胡啟旭; 文献传递

近贴聚焦型光电倍增管: 本发明提供一种近贴聚焦型光电倍增管，包括圆筒形管壳、铟锡合金环、环形记忆合金弹簧、装配环、陶瓷定位环、微通道板、压紧环及阴极输入光窗。压紧环、微通道板以及陶瓷定位环依次装配在装配环的上部。环形记忆合金弹簧设置在装配环的下...; 王兴超王宁孙建宁司曙光顾燕黄国瑞任玲吴凯金真石梦瑶

超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法: 本发明公开了一种超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法，包括一种改良型阴极法兰盘及一种改良型车削加工方法。一种改良型阴极法兰盘包括法兰盘盘体，通孔，凸台，盛铟槽，定位稍，排铟槽。一种改良型车削加工方法为针对超二...; 苏德坦何玄高海鹏褚祝军冯辉潘治云杨振王乙瑾胡啟旭; 文献传递

一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法: 本发明属于微光像增强器技术领域，涉及一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法，采用900nm～1000nm波长范围，优选的，采用950nm～1000nm波长范围的近红外单色光来测量像增强器的阴极近贴聚焦距离。首先调节...; 李晓峰曾进能李廷涛杨振汤文梅; 文献传递

EBCMOS近贴聚焦结构及电场分布对电子运动轨迹的影响被引量：6: 2020年; 为获得高分辨率的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,本文就近贴聚焦结构内电场分布对电子运动轨迹的影响进行了研究。设计了不同的EBCMOS结构并得到3种电场分布情况,分别为光电阴极和背面轰击型CMOS(BSBCMOS)之间的等势面不平行、部分平行和彼此平行。根据电磁学理论结合蒙特卡洛模拟方法,分别模拟了每种电场分布情况下的电子运动轨迹。研究结果表明:当设计的电子倍增层表面覆盖一层30 nm的超薄重掺杂层,保持极间电压为4000 V且极间距为1 mm时,光生电子轰击BSB-CMOS表面时扩散直径可减小至30μm。此结构具有电子聚焦作用,有助于实现高分辨率的EBCMOS。同时,进一步研究了光电阴极与BSB-CMOS之间的距离和电压对电子扩散直径的影响。研究发现,近贴间距越小、加速电压越高,相应的电场强度就越高,越有利于电子聚焦。本文工作将为改进电子轰击型CMOS成像器件的分辨率特性提供理论指导。; 王巍王巍李野陈卫军宋德; 关键词：微光像增强器

近贴聚焦型光电倍增管: 本发明提供一种近贴聚焦型光电倍增管，包括圆筒形管壳、铟锡合金环、环形记忆合金弹簧、装配环、陶瓷定位环、微通道板、压紧环及阴极输入光窗。压紧环、微通道板以及陶瓷定位环依次装配在装配环的上部。环形记忆合金弹簧设置在装配环的下...; 王兴超王宁孙建宁司曙光顾燕黄国瑞任玲吴凯金真石梦瑶; 文献传递

一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法: 本发明属于微光像增强器技术领域，涉及一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法，采用900nm～1000nm波长范围，优选的，采用950nm～1000nm波长范围的近红外单色光来测量像增强器的阴极近贴聚焦距离。首先调节...; 李晓峰曾进能李廷涛杨振汤文梅

V型级联微通道板纳秒响应近贴聚焦像增强器研究: 2015年; 为解决单片微通道板(MCP)近贴聚焦像增强器在强脉冲光照射下输出图像失真、脉冲响应时间慢的问题,对光电阴极面电子发射过渡过程进行理论分析,得出半导体阴极发射层电阻大、光电阴极和荧光屏与MCP间的距离大、器件增益低是造成器件响应时间慢的主要根源。因此采用在阴极发射层底面真空蒸镀100 nm厚半透明金属导电膜、阴极与MCP输入面间距从0.4减小到0.15 mm、荧光屏与MCP间距从0.8减小到0.5 mm和双MCP级联等措施,制成了脉冲时间小于2 ns,增益达到106的纳秒响应像增强器,满足了核技术研究需求。文章中给出了像增强器的结构、技术指标及器件改进前后的时间响应曲线,并指出了器件的应用前景。; 徐江涛杨晓军徐珂刘蓓蓓李丹; 关键词：像增强器微通道板

近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析: 2011年; 为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。; 徐江涛程耀进张太民李敏师宏立刘蓓蓓侯志鹏刘峰祝婉娉; 关键词：近贴聚焦成像器件

近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量：1: 2009年; 依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。; 程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰; 关键词：近贴聚焦成像器件气密性

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