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含有奇数配位多面体的氮(氧)化物的合成、结构与电性质
随着信息技术的发展,信息的流通显得愈发重要,而信息流动的基础是以集成电路为核心的微电子技术实现的。这要求材料具有高相介电常数,以实现电子元器件的微型化。目前,人们对介电材料的研究主要集中在氧化物方面,如BaTiO3和P...
王彦辉
关键词:固溶体
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用负离子配位多面体基元讨论晶生长、结构和极性
负离子配位多面体是生长基元、结构基元,也与晶性能密切相关。用该理论讨论以下几个问题:1)晶生长习性,晶生长形态与生长条件之间的关系;2)同质异构与异质同构,同质异构针对组分相同而配位多面体的连接方式不同而言的,例如...
仲维卓
关键词:负离子配位多面体生长基元
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中负离子配位多面体结晶方位与晶形貌、结构和性能
<正>晶中负离子配位多面体是晶结构的基本基元,其结晶方位与相互缔合的稳定性决定了晶的结构、形貌和性能。所以研究晶中的负离子配位多面体结构基元能使晶的结构和性能得到有机的联系,这样就可以结合生长机理对晶的形貌和...
钟韦卓李晓兵罗豪甦华素坤
关键词:配位多面体晶体结构八面体晶体形貌
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ABO3型晶中负离子配位多面体结晶方位,形变与自发极化和畴
本文从ABO3型晶中负离子配位多面体结晶方位和形态的变化入手,研究了晶的相变结构和自发极化以及畴的形成,讨论了一下的几个问题:
仲维卓张钦辉罗豪甦华素坤
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温度对负离子配位多面体生长基元聚集结构的影响被引量:1
2006年
据Na2S iO3与BaB2O4晶和熔的高温拉曼光谱测试结果综合分析后提出:熔的温度对负离子配位多面体生长基元相互联结的聚集结构有影响。在高温熔中,高电价、离子半径小的阳离子配位多面体往往孤立存在。当熔过冷度大时,孤立的负离子配位多面体顶角上的氧与低电价、离子半径大的阳离子配位构成大维度的聚集。同质异构晶的熔拉曼谱都显示出相同的孤立负离子配位多面体振动峰。
仲维卓罗豪甦葛文伟金蔚青华素坤
关键词:负离子配位多面体生长基元同质异构聚集体
中负离子配位多面体结晶方位、形变与晶压电、铁电性被引量:1
2006年
本文研究了压电、铁电晶中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的。在铁电晶中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶发生顺电-铁电相变,并从这一基本过程出发,对铁电相变的形成机理进行了讨论。
仲维卓张学华罗豪甦华素坤
关键词:负离子配位多面体压电性铁电性自发极化相变
弛豫铁电单晶(PMNT)中负离子配位多面体结晶方位与工程化畴被引量:1
2006年
本文从晶中负离子配位多面体结构基元结晶方位及其形变的论点讨论了PMNT晶工程化畴的形成机理,认为晶工程化畴的形成是在电场作用下,当A位离子沿着晶a、b、c轴孔道发生位移导致B八面中的B离子位移和B八面形变,两者相互制约所致,三方和四方晶系的晶中畴的形成都是沿着B八面的对角线方向分布。
仲维卓赫崇君张学华罗豪甦华素坤
关键词:PMNT
次级键与晶中锑(III)螯合物配位多面体研究被引量:5
2005年
考虑立活性孤对电子附近次级键配位原子的贡献,对文献报道的三十个氨基多羧酸锑(III)螯合物的晶结构中配位多面体描述进行了全面的修正.配位多面体的几何构型指定采用了单位球内截多面体的两面角判据及其相关的ANVPDA程序.所有配位多面体几何构型的修正均得到了键价计算的有力支持.
胡盛志陈明旦B.E.Robertson
溶液、熔中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合被引量:18
2005年
根据对晶生长溶液、熔拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律。在靠近晶的边界层处已出现与晶结构相同或相似的大维度生长基元。实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据。
仲维卓张学华罗豪甦华素坤
关键词:熔体拉曼光谱负离子配位多面体生长基元边界层晶体
负离子配位多面体生长基元和晶形貌(英文)被引量:15
2004年
本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶中的结晶方位和其形态之间的关系 ,发现晶的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关。负离子配位多面体以顶角相联最稳定 ,以边相连次之 ,以面相连最不稳定。同时 ,本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对极性晶ZnO和ZnS的生长习性也做了一定的解释。
仲维卓罗豪甦华素坤许桂生
关键词:负离子配位多面体生长基元晶体异质同构同质异构极性晶体硫化锌

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施尔畏
作品数:284被引量:2,302H指数:30
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