公共文化服务平台

搜索到3801篇“ 铁电体“的相关文章

一种铅基分子铁电体及其制备方法: 本发明公开了一种铅基分子铁电体及其制备方法。本发明的铅基分子铁电体的化学通式为：A2PbQ4，其中A为1，4‑二氨基丁烷、1，5‑二氨基戊烷、1，6‑二氨基己烷、1，8‑二氨基...; 张刚华房永征陈志波侯京山

磁场可调控的位移型铁电体及其制备方法: 本发明提供一种磁场可调控的位移型铁电体，其化学式为CaFe3Ti4O12，所述磁场可调控的位移型铁电体室温下的空间群为Im‑3，晶格常数为<Image f...; 龙有文卢达标

一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法: 本发明公开了一种基于辅助光源封装的铁电体晶体光折变效应消除方法，在铁电体晶体表面制备波导，波导通过光纤耦合方式引入主激光，采用短波长的蓝紫光或紫外光作为辅助光源，将辅助光源与铁电体晶体进行集成封装，通过辅助光源照射铁电体...; 尹志军崔国新包晓清叶志霖汤济许家荣沈厚军吕新杰许启诚

一种分子铁电体晶体包覆的正极材料及其制备方法及其应用: 本发明涉及电极材料技术领域，具体涉及一种分子铁电体晶体包覆的正极材料及其制备方法及其在固态电池中的应用。分子铁电体晶体包覆正极材料为具有自发极化特性的分子铁电体单晶材料包裹的正极材料，其中，分子铁电体单晶材料与正极材料的...; 崔光磊李文儒马君徐红霞

一种钛酸钡基高熵无铅弛豫铁电体储能陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种钛酸钡基高熵无铅弛豫铁电体储能陶瓷及其制备方法，通过上述组分混合后与乙醇、锆球混合，进行初次球磨，球磨后进行干燥在750‑950℃预烧，然后进行球磨并干燥处理得到粉体；将球磨后的粉体进行压片成型，成型后的...; 李泽昱郭靖许婉王梓宇耿鑫坛程杨

一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘...; 江安全胡笛孙杰王兴龙李一鸣

锆锡钛酸镧铅反铁电体陶瓷的低温烧结和储能特性: 2024年; 随着风电、光电等绿色能源的利用和对大功率电力电子装备需求的增加,大功率储能器件受到了广泛的关注,而具有高储能密度和高储能效率的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_(3)(PLZST)反铁电体陶瓷用于超级介电储能电容器具有明显的优势。但是,受到陶瓷本身高烧结温度(1200~1300℃)的限制,难以适应贱金属内电极多层陶瓷电容器的应用。为了适应贱金属铜(Cu)内电极的烧结,将玻璃粉MgO–Al_(2)O_(3)–ZnO–B_(2)O_(3)–SiO_(2)(MAZBS)添加到(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_(0.55)Sn_(0.41)Ti_(0.04))O_(3)(PLZST)反铁电体陶瓷中,使烧结温度低于铜内电极的熔点。研究结果表明:当添加了玻璃粉MAZBS的质量分数为0.75%时,PLZST陶瓷在较低的温度(930℃)下可以实现致密烧结,且陶瓷在室温和外加电场300 kV/cm下具有较高的放电储能密度(6.08 J/cm^(3)),和储能效率(77%)。; 余宇梁王世斌李伟湫何厚铸赵小波姚英邦陶涛梁波鲁圣国; 关键词：反铁电陶瓷

Nd^(3+)掺杂对PLZS反铁电体介电性能和储能性能的影响: 2024年; 近年来,随着科学技术的发展,高功率密度和快速充放电陶瓷引起了人们的广泛关注。采用流延法和固相烧结法制备了Pb_(0.98–1.5x)La_(0.02)Nd_(x)(Zr_(0.60)Sn_(0.40))_(0.99)5O_(3)(x=0,0.02,0.04,0.06,简写为PL100xNZS)反铁电陶瓷,并研究了反铁电陶瓷的相组成、储能性能、介电性能和充放电性能。研究结果表明:PL100xNZS的主晶相为正交相钙钛矿结构,随着Nd^(3+)掺杂量的增多,反铁电–铁电相转变电场(EAFE-FE)增加,故其储能性能增强。当Nd^(3+)掺杂量为x=0.04时,陶瓷的储能密度为14.8 J·cm^(–3),储能效率为85%。此外,充放电测试结果显示PL4NZS陶瓷具有高的电流密度和功率密度,分别为3360 A/cm^(2)和504 MW·cm^(–3),且放电速度极快,t_(0.9)为28 ns。该结果表明PL4NZS材料在脉冲功率电容器领域具有重要的应用价值。; 焦安德赵烨韩沛孙宁宁卢春晓杜金花李雍张奇伟郝喜红; 关键词：介电性能放电性能

ZnNb_(2)O_(6)掺杂BNT基无铅弛豫铁电体陶瓷的性能研究: 2024年; 利用传统固相法制备了0.7(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_(3)-0.3(Sr_(0.7)Bi_(0.2))TiO_(3)-xZnNb_(2)O_(6)(缩写为BNT-SBT-xZN,其中x=0.5%、1.0%、1.5%和2.0%(摩尔分数))陶瓷,并研究了引入ZnNb2O6对BNT基陶瓷材料的结构和性能的影响规律。结果表明:少量ZnNb_(2)O_(6)掺杂(x=0.5%时)的BNT-SBT-xZN陶瓷具有纯的钙钛矿结构,且微观结构致密,无第二相,在室温时为典型的弛豫铁电体(弥散指数γ>1.7),极化前后样品的铁电-弛豫转变温度(TR-E)均低于室温,而与三方相R3c和四方相P4bm的纳米极性微区(PNRs)热弛豫有关的介电反常出现在TR-E<100℃;当ZnNb_(2)O_(6)含量增多时,遍历弛豫态逐渐起主导作用,最大极化强度(Pmax)和剩余极化强度(Pr)均出现减小趋势。综合来看,x=0.5%的BNT-SBT-xZN陶瓷具有高的Pmax、低的Pr、大的ΔP,并具备良好的储能特性及频率和温度稳定性,在室温电场强度为110 kV/cm时,Pmax=44.7μC/cm^(2),Pr=12.4μC/cm^(2),ΔP=32.3μC/cm^(2),储能密度W1=1.066 J/cm^(3),储能效率η=48.68%。此外,x=0.5%的BNT-SBT-xZN陶瓷在100 kV/cm的电场强度下充放电性能良好,放电能量密度Wd=0.60 J/cm^(3),最大放电电流Imax=45.33 A,电流密度CD=1443 A/cm^(2),功率密度PD=72.2 MW/cm^(3)。; 肖齐龙王世宇蒋芮梅雄峰吴昊石亚军孙帅吴文娟; 关键词：弛豫铁电体介电性能铁电性能

基于分子动力学的纳米多晶铁电体力电性能尺寸效应研究: 近年来,随着微电子领域的蓬勃发展,对于器件的微型化和集成化要求也越来越高。铁电材料作为一种具有优异的力、热、电耦合性能的材料,在微型化器件的研究中备受关注。然而,随着铁电器件结构特征尺寸逐渐缩小至纳米尺度,晶粒尺寸对纳米...; 张晓东; 关键词：分子动力学晶粒尺寸

相关作者