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一种结构的Ⅲ-Ⅵ二维材料的制备方法
本发明公开一种结构的Ⅲ‑Ⅵ二维材料的制备方法,属于二维半导体材料技术领域。本发明首先将片状PDMS拉伸、固定在载玻片上,然后将载玻片上的PDMS采用等离子化学气相沉积进行氩离子轰击,使其表面形成间距规律有序的条...
胡万彪杨玉媛何昆元顾成鼎郭长金倪园凯何洋谢德焕
一种擦除晶体结构的方法和应用
本发明涉及激光加工领域,具体而言,涉及一种擦除晶体结构的方法和应用。所述的擦除晶体结构的方法,包括以下步骤:(a)在所述晶体上标记待擦除的反转结构的位置;(b)将多脉冲飞秒激光聚焦在所述...
曹强黎奉常李协林李芳兰
一种工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法
本发明公开了一种工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法,属于信息存储技术领域,由下至上依次设置衬底、过渡层、下极、第一绝缘层、层、二维材料层、第二绝缘层、第三绝缘层和上极;还包括:源极、漏极和纳米导线;所...
侯鹏飞欧阳晓平
一种图形化调控的红外偏振光探测器及其制备方法和应用
本发明属于半导体光器件技术领域,具体涉及一种图形化调控的红外偏振光探测器及其制备方法和应用。本发明提供了一种图形化调控的红外偏振光探测器,包括自下而上依次设置的绝缘衬底、二碲化钼层、源极和漏极层以及图形...
王旭东伍帅琴陈艳沈宏林铁孟祥建褚君浩王建禄
一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑构型的方法
本发明公开了一种通过纳米压痕/划痕调控拓扑构型的方法,包括:原始片状单晶通过粘结剂固定于基底上;采用纳米压头在第一载荷下压入原始片状单晶的第一表面形成压痕;转移至加热台进行升温至80℃~120℃,将原始片状单晶与基...
王学云高子岩洪家旺
铌酸锂晶体调控及器件应用研究进展
2024年
铌酸锂是一种多功能晶体,具有压、热释光、声光、光弹、非线性等物理性质。随着铌酸锂工程的不断进步和铌酸锂单晶薄膜技术的发展,铌酸锂的诸多优异性能已被开发出来,广泛应用于光波导、光调制器、非线性光学、量子器件等领域,未来在光子学方面的广泛应用可能形成“铌酸锂谷”时代。着重介绍了铌酸锂的反转方法、生长机制、结构表征手段、工程的应用,以及铌酸锂薄膜器件如光波导、光器件、量子器件的最新研究进展。伴随着铌酸锂从“体块”走向“薄膜”,结合微加工技术使铌酸锂的应用领域从独立器件向小型多器件集成芯片转变,铌酸锂工程在构建小型全集成芯片过程中将具有更重要的作用。
陈宇能陈昆峰薛冬峰
关键词:铌酸锂铁电体畴反转量子器件
一种具有导层的半导体激光元件
本发明提供了一种具有导层的半导体激光元件,涉及半导体光器件技术领域,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层,有源层、上波导层、子阻挡层、上限制层,上限制层与子阻挡层之间和下限制层与下波导层之间设有...
蔡鑫王星河刘紫涵蒙磊季徐芳陈三喜黄军张会康请求不公布姓名
一种调控的光读出模式存储器及制备方法
本发明公开一种调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为:导衬底上依次有二维半导体和薄膜层。器件制备步骤是在导衬底上制备二维半导体,然后制备薄膜,随后利用压力显微技术对二维半导体上的薄膜写入周期...
王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
一种基于图形化的石墨烯太赫兹波可调谐探测器
本发明涉及一种基于图形化的石墨烯太赫兹波可调谐探测器,包括基底:如半导体硅(Si)或氧化物钛酸锶(STO)、底极:如镧锶锰氧(LSMO)、材料:如酸铋(BFO)或掺铪的氧化锆(HfZrO)、以及上层的二维材...
黄文林霖龚天巡
一种调控尺寸的氮化物半导体的制备方法
本发明公开了一种调控尺寸的氮化物半导体的制备方法。本发明利用氮化物半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异,通过在氮化物半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构,实现尺寸可调制的高效氮...
王新强叶昊天王平王睿王涛王锦林盛博文刘放

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许京军
作品数:409被引量:672H指数:13
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研究主题:铌酸锂晶体 铌酸锂 光折变 非线性光学 晶体
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作品数:184被引量:527H指数:13
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:压电陶瓷 原子力显微镜 锆钛酸铅 铁电畴 掺杂
林铁
作品数:111被引量:63H指数:5
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:铁电 铁电薄膜 磁输运 金属电极 深低温
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作品数:82被引量:118H指数:6
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:原子力显微镜 原位表征 铁电畴 热学 热电
沈宏
作品数:80被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:科技期刊 铁电 金属电极 紫外光刻 电子束光刻