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沟槽MOSFET器件及其制备方法: 本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括依次贯穿源区和注入区并延伸至外延层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括承压层、第一结构和第二结构，其中：承压层包括绝缘材料，且承压层中具有位于第一结构和第二结...; 刘浩文闫正坤蔡红卫宋宇程

功率MOSFET器件结构及其制造方法: 本申请公开了一种功率MOSFET器件结构及其制造方法。所述功率MOSFET器件结构包括碳化硅衬底，以及设置在碳化硅衬底上的轻掺杂的N型外延层，N型外延层包括有源区、环绕有源区设置的终端区和环绕终端区设置的切割道区，在终端...; 柯行飞李道会

SiC MOSFET串扰抑制驱动电路设计: 2024年; SiC MOSFET相对于传统的Si MOSFET开关速度有明显的提升,但开关速度的提升引起电压/电流变化率的增大,器件寄生电感及布线电感等因素对电路的影响日益凸显。当器件自身的电压和电流变化时,会导致栅极-源极间产生预期以外的浪涌电压,从而导致开关管误导通。针对桥式电路上下管的串扰问题设计了一种外接无比较器米勒钳位的SiC MOSFET串扰抑制驱动电路。通过搭建双脉冲测试平台进行了实验验证,实验结果表明,所设计SiC MOSFET串扰抑制驱动电路能够有效抑制上下管之间的串扰,具有重要的工程应用价值。; 杨孟广姜仁华徐树

SiC MOSFET的质子单粒子效应: 2024年; SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。; 史慧琳郭刚张峥李府唐刘翠翠张艳文殷倩

SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述: 2024年; 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度引起的栅氧可靠性问题成为制约SiC MOSFET器件规模化应用的关键瓶颈。通过对近年来国内外SiC MOSFET栅氧可靠性研究成果的梳理和分析,阐述了当前栅氧可靠性问题的形成原因,归纳总结了各类常用的栅氧可靠性评估方法,并进行了比较分析,最后重点探讨了极端工况下SiC MOSFET栅氧可靠性及其提升技术的发展现状。; 胡嘉豪王英伦代豪豪邓小川张波

650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究: 2024年; 功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。; 赵勇; 关键词：半导体

一种多槽式4H-SiC MOSFET器件: 本发明公开了一种多槽式4H‑SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。本发明采用多槽状4H‑SiC替代部分埋入氧化物来降低温度效应，并合理设计4H‑SiC顶部沟槽的数量和尺寸以提高器件的击穿电压。此外，本发明通过...; 夏华忠焦伟黄嘉丽

SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究被引量：2: 2024年; 碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格SiC MOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温栅偏试验结果显示自研SiC MOSFET与国外SiC MOSFET的阈值电压偏移量基本相等,阈值电压偏移量百分比最大相差在4.52%左右。正压高温栅偏试验的结果显示自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量较小,与国外SiC MOSFET相比,自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量百分比最大相差11%。自研器件占优势的原因是在SiC/SiO2界面处引入了适量的氮元素,钝化界面缺陷的同时,减少了快界面态的产生,使总的界面态密度被降到最低。; 刘建君陈宏丁杰钦白云郝继龙韩忠霖; 关键词：可靠性

一种横向功率MOSFET器件及其制造方法: 本发明属于MOSFET器件技术领域，具体涉及一种横向功率MOSFET器件及其制造方法，包括基板和外壳，所述基板上表面连接有衬底，所述衬底上表面连接有外延层，所述外延层上表面连接有漂移区，所述漂移区上表面从左至右依次设置有...; 黄昌民张志奇谷岳生黄富强

一种沟槽MOSFET器件及沟槽MOSFET器件阵列: 本申请提供一种沟槽MOSFET器件及沟槽MOSFET器件阵列，通过分别形成掩埋区和第三掺杂区，可以精确控制掩埋区和第三掺杂区的宽度，进而，对于相邻的沟槽MOSFET器件，可以精确控制掩埋区之间的距离，以及第三掺杂区之间的...; 袁俊成志杰陈伟郭飞王宽吴阳阳

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