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p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究: 2025年; 针对纯ZnO半导体的p型掺杂难题,提出采用阴(S^(2-))阳(Mg^(2+))离子复合取代、协同调控ZnO合金电子能带结构基础上,进行N受主掺杂的新思路,并采用脉冲激光沉积法成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜。通过X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、X射线光电子能谱和二次离子质谱测试分析了薄膜的晶体结构、光电学性质及化学组分。实验结果表明,制备的MgZnOS∶N薄膜为六角纤锌矿结构,呈现c轴择优取向生长。薄膜在紫外-可见-近红外波段的透射率超过80%,且Mg掺杂可明显拓宽ZnO合金薄膜的光学带隙。所制备p型导电薄膜中的Mg和S含量分别为9%和25%,空穴浓度为2.02×10^(19) cm^(-3),霍尔迁移率为0.25 cm^(2)/(V∙s),电阻率为1.24Ω∙cm。在成功制备p型MgZnOS∶N薄膜的基础上,设计并制备了新型p-MgZnOS∶N/n-ZnO准同质p-n结型紫外光电探测器。器件呈现典型的二极管整流特性(开启电压约为1.21 V),且在0 V偏压下表现出稳定的自驱动紫外光响应,峰值响应度2.26 mA/W(波长为350 nm)。经分析,认为上述自驱动光响应来源于p-n结内建电场对光生载流子的有效分离和传输。本研究可为ZnO的p型掺杂研究提供有价值的参考,对开发高性能全ZnO基光电子器件具有重要意义。; 郭紫曼汪洋刘洋张腾陈剑卢寅梅何云斌; 关键词：脉冲激光沉积 P型掺杂 P-N结

利用两个并联连接的p-n结并具有一个隧道结的具有低操作电压的高通量LED: 提供了一种由顺序沉积在同一晶片上的第一和第二p‑n结组成的LED。第一和第二结具有相反的n层和p层的沉积顺序。一个发光有源区嵌入在第一结的n层和p层之间，并且另一个发光有源区嵌入在第二结的n层和p层之间。加工接触，使得使...; R·阿米蒂奇

一种太阳电池P-N结的改善工艺、PERC电池及其制造方法: 本发明提供了一种太阳电池P‑N结的改善工艺、PERC电池及其制造方法，所述改善工艺在硅片制作选择性发射极后，先去除PSG层，再进行氧化生长氧化保护层，可以使得P‑N结表面死层变薄，从而改善和优化P‑N结，有效减少扩散后光...; 任永伟郑正明赵颖

具有两个p-n结的颜色可调像素的紧凑阵列: 提供了一种单片集成的红绿蓝(RGB)发光二极管(LED)阵列，其被制造具有减少数量的台面蚀刻步骤和接触端子。LED阵列可以具有在晶片上顺序生长的两个或三个p‑n结。其中一个p‑n结具有与n层和p层相反的沉积顺序。发光有源...; R·阿米蒂奇

一种具有p/n结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用: 本发明涉及单晶柔性膜制造技术领域，具体公开一种具有p/n结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供的具有p/n结结构的碳化硅单晶柔性膜的制备方法，依次在n型碳化硅衬底表面同质外延生长n‑...; 耿文浩郑向光杨昆刘新辉路亚娟尹东坡

一维p-n结促进锂硫电池中多硫化物的双向转换研究被引量：3: 2024年; 锂硫电池中氧化还原反应涉及复杂的多相转化过程,对其性能至关重要.催化转换是缓解穿梭效应的有效策略,但单组分催化剂在双向氧化还原过程中并不能充分发挥作用.为此,我们制备了一维ZnO@NiO核-壳纳米带(CNBs),通过p-n结界面来解决这些问题.自发内置电场(BIEF)诱导界面电荷重新分配,促进了ZnO和NiO之间的电荷和多硫化物的转移.适度的吸附能和多硫化物转化能垒的降低进一步加速了硫的双向转化.ZnO@NiOCNBs阴极在0.1C下的放电容量为1525.5mAhg^(-1),在2C下循环1000次后,保持了73.60%的容量保持率,相当于每循环损失0.026%的容量.本研究证明了BIEF和异质结构的结合促进了多硫化物的转化,为调控多硫化物氧化还原反应提供了新策略.; 王迪闫海龙杨亚程晋炳陆阳罗永松庞欢; 关键词：多硫化物氧化还原反应锂硫电池

新型P-N结紫外光探测器及其制备方法: 本发明公开了一种新型P‑N结紫外光探测器及其制备方法。该紫外光探测器包括由ZnO活性层和CuScO2空穴传输层构建的ZnO/CuScO2异质结以及位于ZnO/CuScO<Sub...; 罗光灿邓群卯明分岑宝芬张洪荣

全氧化镓薄膜同质p-n结被引量：1: 2024年; 制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×10^(4)的整流比、在40 V下9.18 mΩcm^(2)的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.; 翟泓超刘晨星吴征远马聪聪田朋飞万景康俊勇褚君浩方志来

集成P-N结的增强型GaN HEMT器件: 本发明公开了一种集成P‑N结的增强型GaN HEMT器件。增强型GaN HEMT器件包括外延结构以及与外延结构匹配的源极、漏极和栅极，外延结构包括沟道层、第一势垒层、第二势垒层和P‑N反向堆叠层，第一势垒层沿选定方向层叠...; 邹志丹谭庶欣张思诚李峥

具有一系列p-n结的硅光学移相器: 一种装置包括硅(Si)光学移相器。在一个实施例中，光学移相器包括具有硅光学芯的平面光学波导、以及沿着硅光学芯的一段的相对侧定位的一对偏置电极。硅光学芯的该段包括一系列p‑n结。该系列在以下方向上延伸：该方向横向于包括硅光...; 丁建峰

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