刘家璐
作品数： 28被引量：51H指数：4
  • 所属机构:西安电子科技大学
  • 所在地区:陕西省 西安市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

张廷庆
作品数：32被引量：55H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
张正选
作品数：132被引量：138H指数：7
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
赵元富
作品数：134被引量：116H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 电路 电离辐射 电离辐照 F
王剑屏
作品数：13被引量：72H指数：6
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
刘传洋
作品数：14被引量：73H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率
作品列表