肖宏宇
作品数: 43被引量:73H指数:6
  • 所属机构:洛阳理工学院
  • 所在地区:河南省 洛阳市
  • 研究方向:化学工程
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

贾晓鹏
作品数:267被引量:400H指数:9
供职机构:吉林大学
研究主题:高温高压 金刚石 温度梯度法 高温高压合成 金刚石单晶
马红安
作品数:250被引量:325H指数:8
供职机构:吉林大学
研究主题:高温高压 金刚石 高温高压合成 金刚石单晶 温度梯度法
李尚升
作品数:135被引量:204H指数:8
供职机构:河南理工大学材料科学与工程学院
研究主题:温度梯度法 宝石级金刚石 高温高压 金刚石 热电材料
臧传义
作品数:76被引量:135H指数:8
供职机构:吉林大学
研究主题:高温高压 金刚石 温度梯度法 宝石级金刚石 金刚石单晶
田宇
作品数:49被引量:50H指数:4
供职机构:吉林大学
研究主题:宝石级金刚石 温度梯度法 宝石级 金刚石单晶 高温高压
温度梯度法宝石级金刚石的合成及表征被引量:9
2012年
利用温度梯度法,在5.0—5.7GPa,1250—1600℃条件下,研究了FeNiMnCo触媒合成宝石级金刚石的温度和压力区间,给出了P-T相图.基于有限元法的温度场模拟及碳素浓度梯度拟合结果表明,I型温度场只适合生长大尺寸优质板状及小尺寸塔状金刚石单晶;II型温度场可以合成出大尺寸优质板状或塔状金刚石单晶.该结论被Ib型及掺硼宝石级金刚石晶体生长实验所证实.提出碳素浓度梯度是决定晶体生长速度及合成晶体品质的关键因素.研究得到了只有触媒中温度场分布与晶体尺寸、形貌相匹配时,才能合成出优质宝石级金刚石单晶的晶体生长规律.揭示了{110}和{113}高指数晶面在Ib型金刚石"V"形区内的分布规律.通过傅里叶红外光谱检测发现,FeNiMnCo触媒合成金刚石的氮含量较低,较低的氮含量是由铁会降低金刚石氮含量所致.氮含量低有利于金刚石的光谱透过性.
肖宏宇苏剑峰张永胜鲍志刚
关键词:金刚石触媒温度梯度法有限元法
大学物理公共课分层教学的改革与探索被引量:1
2019年
本文分析了应用型本科院校转型期,大学物理公共课分层教学的现状以及存在的问题,从教学大纲制定,学生分层,考核方法方面提出了建议和改革措施,以期提高大学物理公共课的教学质量。
肖宏宇秦玉琨
关键词:大学物理公共课分层教学
激光拉曼光谱法在金刚石研究中的应用被引量:11
2018年
金刚石作为一种具有最高硬度、最高热导率以及最宽透光波段等多种极限性能的功能材料,在多个领域都有广泛的应用。近年来,人工合成金刚石,特别是对金刚石掺杂改性成为国内外研究的重点。因此,对金刚石组成及结构缺陷的研究分析成为了重要环节。激光拉曼光谱分析法是研究分析金刚石组成及结构的重要途径,本文综述了近年来激光拉曼光谱分析法在金刚石中的应用,涉及到该方法的基本原理以及在单晶金刚石表征、金刚石薄膜和金刚石聚晶等方面的应用。
韩飞李尚升朱丽飞聂媛于昆鹏王健康宿太超胡美华肖宏宇
关键词:金刚石测试分析
Ⅱa型宝石级金刚石大单晶研究最新进展被引量:2
2007年
用合金触媒利用温度梯度法合成优质Ⅱa型宝石级金刚石。研究发现,在约5.4GPa和约1300℃的条件下,除氮剂的加入使合成金刚石的温度区间变窄及金刚石晶体生长过程中更易俘获包裹体而出现熔坑,从而影响晶体的生长速度。实验解决了组装的稳定性问题;并通过调整组装,在除氮剂合适的掺入量下,使合成优质金刚石的最大生长速度达到2.16mg/h。结果实验获得了4.3mm的优质Ⅱa型金刚石大单晶。红外测试分析表明该金刚石含氮量小于10^(-7)。
李尚升臧传义马红安田宇张亚飞肖宏宇黄国锋马利秋李小雷贾晓鹏
关键词:温度梯度法
添加剂硼对合成Ib型宝石级金刚石单晶的影响被引量:2
2010年
通过将一定比例的无定形硼粉加入到石墨-KOV触媒体系中,在SPD6×1200型国产六面顶压机上利用温度梯度法成功合成出含硼Ib型宝石级金刚石单晶.全面考察了添加剂硼对Ib型宝石级金刚石单晶的影响,包括晶体的生长特点、晶体的形貌和氮含量.通过光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)以及红外吸收光谱仪(IR)对合成出的含硼Ib型宝石级金刚石进行表征.结果显示:随着掺硼量的增加,晶体的{111}面生长区域变宽,而{100}变窄甚至消失;当更多的硼原子进入金刚石晶格之中,晶体颜色将变黑,晶体缺陷增多,晶体的氮含量也将下降.本文的研究结果将促进含硼Ib型宝石级金刚石大单晶的技术开发和研究.
马利秋马红安肖宏宇李尚升李勇贾晓鹏
关键词:宝石级金刚石温度梯度法
优质Ⅱb型宝石级金刚石大单晶的高温高压合成被引量:6
2008年
实验在国产六面顶压机上利用温度梯度法合成优质Ⅱb型宝石级金刚石。研究发现在约5.5GPa和约1300℃的条件下,添加剂硼的加入使合成Ⅱb型金刚石的形貌较Ⅱa型宝石级金刚石有较大不同,文章分析了产生该现象的原因;实验还发现随着硼添加量的增加,所合成Ⅱb型宝石级金刚石的颜色由浅变深。结果实验获得了尺寸达4mm的优质Ⅱb型宝石级金刚石大单晶。
李尚升臧传义马红安田宇张亚飞肖宏宇黄国锋马利秋李勇陈孝洲李小雷贾晓鹏
关键词:温度梯度法高温高压合成
Ⅰb型宝石级金刚石单晶的多晶种合成被引量:2
2008年
高温高压下温度梯度法合成宝石级金刚石时,合成周期较长。单晶种合成效率低下,通过多晶种法可以直接有效地提高合成效率,因此文章对多晶种生长宝石级金刚石进行了研究,在高温高压条件下成功实现了多颗粒2-3mm级金刚石单晶的合成,优质单晶的平均增重速度最快可达1.88mg/h。
黄国锋臧传义马红安李尚升田宇肖宏宇张亚飞马利秋李勇陈孝洲贾晓鹏
关键词:宝石级金刚石温度梯度法
B2O3添加宝石级金刚石单晶的生长特性被引量:2
2016年
利用温度梯度法,在5.3—5.7 GPa压力、1200—1600℃的温度条件下,将B_2O_3粉添加到FeNiMnCo+C合成体系内,进行B_2O_3添加宝石级金刚石单晶的合成.研究得到了FeNiMnCo触媒生长B_2O_3添加宝石级金刚石单晶的相图分布规律.结果表明B_2O_3添加会使晶体生长的"V"形区上移和低温六面体单晶生长区间变宽.通过晶体生长实验,研究合成了不同形貌的B_2O_3添加宝石级金刚石单晶.研究同时证实,B_2O_3的过量添加会对宝石级金刚石单晶生长带来不利影响.当B_2O_3的添加量高于约3 wt‰、生长时间超过20 h时,很难实现优质B_2O_3添加宝石级金刚石单晶的生长.但B_2O_3的适量添加(不超过1 wt‰),有助于提高低温板状六面体宝石级金刚石单晶的成品率.通过对晶体生长速度的研究发现,B_2O_3的添加使得优质晶体的生长速度明显降低,随着晶体生长时间的延长,B_2O_3添加剂对晶体生长的抑制作用会越发明显.扫描电镜测试结果表明,合成体系内B_2O_3添加剂的引入,导致晶体表面的平整度明显下降.
肖宏宇刘利娜秦玉琨张东梅张永胜隋永明梁中翥
关键词:高温高压温度梯度金刚石
大尺寸掺硼宝石级金刚石单晶的高温高压合成及电学性质研究被引量:6
2010年
在5.4GPa、1200~1400℃条件下,进行掺硼金刚石单晶的合成研究。成功合成出了重0.2g,径向尺寸达6.0mm的优质掺硼金刚石单晶。考察了合成体系中硼添加量对晶体透光度的影响。利用伏安特性和霍尔测试,得到了掺硼金刚石单晶常温电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率和合成体系中硼添加量的关系。研究发现,随着合成体系中硼添加量的增加,晶体的电阻率和霍尔迁移率都呈下降趋势;霍尔系数随硼添加量的增加先下降后上升。随着硼添加量的增加:晶体常温电阻率下降,表明硼杂质已进入到金刚石晶体中。霍尔迁移率的下降,可能是晶体缺陷增多对载流子散射所致。霍尔系数先减小后增大,这可能与进入金刚石的硼元素量增大及晶体缺陷增多有关。
肖宏宇马红安李勇赵明贾晓鹏
关键词:金刚石电学性质
衬底取向对Al掺杂3C-SiC薄膜微结构的影响(英文)
2015年
采用低压化学气相沉积(LPCVD)法分别在Si(100)和Si(111)衬底上制备了Al掺杂的3C-Si C薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱对所制备薄膜的微结构、形貌以及内部应力的演变进行分析。结果表明:在Si(100)衬底上制备的Al掺杂Si C薄膜具有较好的结晶质量,而且结晶质量受Al掺杂浓度的影响比较大。Al掺杂Si C薄膜的生长模式为二维层状生长模式。Si(100)衬底上所制备的Al掺杂Si C薄膜表面为层状的四边形结构,而Si(111)衬底上的Al掺杂Si C薄膜表面为层状的截角三角形结构。Si(100)衬底上的薄膜厚度略大于Si(111)衬底上的。由于Al离子的掺入和薄膜厚度的增加,Si(100)衬底上所制备的Al掺杂Si C薄膜内部的应力得到很好的释放。Si(111)衬底上的Al掺杂Si C薄膜内部的应力则由张应力模式转为压应力模式,而且纵光学声子(LO)、横光学声子(TO)特征峰分离变大,出现这种现象的原因可能与Al3+替代Si4+使Si C离子性增强和生长模式的转变有关。
苏剑峰肖宏宇牛强唐春娟张永胜傅竹西
关键词:铝掺杂碳化硅薄膜微结构