郑修麟
作品数: 271被引量:777H指数:12
  • 所属机构:西北工业大学材料学院
  • 所在地区:陕西省 西安市
  • 研究方向:一般工业技术
  • 发文基金:中国航空科学基金

相关作者

刘正堂
作品数:192被引量:700H指数:13
供职机构:西北工业大学材料学院
研究主题:电子结构 第一性原理计算 第一性原理 光学性质 射频磁控溅射
路民旭
作品数:504被引量:2,809H指数:31
供职机构:北京安科管道工程科技有限公司
研究主题:CO2腐蚀 腐蚀产物膜 缓蚀剂 腐蚀速率 高温高压
吕宝桐
作品数:58被引量:100H指数:6
供职机构:西北工业大学
研究主题:铝合金 16MN钢 金属材料 疲劳裂纹扩展 陶瓷
鄢君辉
作品数:61被引量:252H指数:10
供职机构:西北工业大学材料学院
研究主题:概率分布 搅拌摩擦焊 有机玻璃 AL 摩擦焊接头
张贵锋
作品数:34被引量:93H指数:6
供职机构:西北工业大学
研究主题:金刚石薄膜 金刚石 类金刚石 类金刚石薄膜 火焰法
超载和超载比对LY12—CZ板材疲劳裂纹起始寿命的影响
凌超郑修麟张蓉
关键词:铝合金金属板超载荷
关于累积疲劳损伤定则被引量:7
1993年
根据实验结果和分析表明,Miner定则可用于变幅载荷下始裂寿命的估算,但要考虑载荷谱中大、小载荷交互作用。载荷交互作用效应可用疲劳裂纹起始的超载效应因子予以定量地表征。裂纹起始的超载效应取决于材料的应变硬化特性、构件几何以及超载的大小。因此,应视具体情况使用Miner定则。在始裂寿命占疲劳寿命主要部分的情况下,Miner定则可近似地用于估算疲劳寿命。
郑修麟吕宝桐凌超陈德广
陶瓷材料小裂纹的生长与聚合
1996年
对陶瓷材料小裂纹的生长与聚合规律进行了试验研究。结果表明由Vikers压痕法引入的单个小裂纹的裂纹扩展速率(da/dt)随裂尖应力强度因子的增大呈先降后升的V形特征。理论分析和数据处理均表明这种特征是由压痕法引入的残余应力场的影响所致。试验结果还表明多个小裂纹的生长与聚合规律也与残余应力场密切相关。
何泽夏何泽夏郑修麟路民旭郑修麟
关键词:陶瓷材料残余应力场
一种新的LTFCPR微机测试系统
1992年
介绍微机辅助低温疲劳裂纹扩展速率测试系统,采用温度补偿翻转电位法,可以消除零点漂移、热电势及电阻率的温度效应等所引起的测试误差。对控温信号采用了锁存技术,可以消除电机起动与停止导致电网波动所引起的采样误差。采用低通滤波加数值补偿数据平滑技术,可以减小数据不平滑度且又避免了裂纹长度显示值滞后于实际值的现象。求da/dN的数值求导采用座标变换旋转放大卷积割线法。可提高求导精度。
路民旭吕宝桐郑修麟
关键词:微机
销钉接触对电位法测试精度影响的边界元分析
1993年
用边界元法分析了销钉接触对3种电流输入方式下紧凑拉伸试样的电位函数影响。结果表明,销钉接触对电位测试精度有显著影响。试验中应首先考虑对俏钉孔进行绝缘。当不可能对销钉孔进行绝缘时,应对电位函数进行修正或变换电流输入位置。
路民旭郑修麟王建军刘晓坤
关键词:电位法边界元法
30CrMnSiNi2A钢对焊接头的疲劳裂纹起始寿命
吕宝桐李大宝郑修麟
关键词:焊后处理对接焊对接接头合金钢
稀土元素及杂质在铝锂合金中的作用研究现状与发展被引量:12
1998年
综述了稀土元素和杂质对铝锂合金微观组织及力学性能的作用,概括了杂质致脆及稀土微合金化的规律与机制,根据已有研究结果,对目前铝锂合金的发展与应用中需要引起重视的问题,提出了某些观点与建议。
孟亮郑修麟
关键词:铝锂合金稀土元素力学性能
15MnVN钢疲劳性能的实验研究被引量:6
1992年
总结了15MnVN钢56mm厚正火板材的疲劳实验研究结果,给出了S-N曲线和疲劳裂纹起始寿命曲线的表达式以及疲劳极限和裂纹起始门槛值。研究结果表明,疲劳裂纹起始门槛值是在切口根部不造成疲劳损伤的上限当量应力幅值;拉伸超载对15MnVN钢的疲劳裂纹起始寿命没有影响。本文对上述实验研究结果的工程应用进行了讨论,并提出了在进行变幅载荷下疲劳裂纹起始寿命模拟试验和寿命估算时如何截除载荷谱中的小载荷的建议。
吕宝桐张建国凌超郑修麟
关键词:15MNVN钢
火焰法合成大面积金刚石薄膜的初步研究
1994年
本文给出单喷嘴移动火焰在大气条件下合成大面积金刚石薄膜的初步试验结果。用喇曼光谱、扫描电镜分析了膜的结构和形貌。试验表明,移动火焰法能合成大面积高质量的金刚石薄膜,薄膜的质量、均匀性强烈取决于沉积温度。
张贵锋郑修麟
关键词:金刚石薄膜火焰法
极板间距对反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的影响被引量:3
1998年
利用射频磁控反应溅射法,以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,研究了极板间距对沉积的影响。结果表明,随极板间距的减小,沉积速率增大,薄膜的均匀性变差,薄膜中Ge/C的原子比增加.
宋建全刘正堂朱景芝郑修麟
关键词:半导体