张清风
作品数: 7被引量:9H指数:2
  • 所属机构:华中科技大学
  • 所在地区:湖北省 武汉市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

张洋洋
作品数:22被引量:30H指数:3
供职机构:华中科技大学
研究主题:热释电 化学计量 压电厚膜 PZT压电陶瓷 PZT
张光祖
作品数:73被引量:44H指数:4
供职机构:华中科技大学
研究主题:热释电 铁电陶瓷 电卡 厚膜 铁电
姜胜林
作品数:271被引量:620H指数:12
供职机构:华中科技大学
研究主题:热释电 铁电 热敏电阻 铁电陶瓷 陶瓷
喻研
作品数:40被引量:7H指数:2
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院
研究主题:裁剪 图案化 热释电 钙钛矿 呼气
曾亦可
作品数:162被引量:488H指数:12
供职机构:华中科技大学
研究主题:铁电薄膜 热释电 红外探测器 溶胶-凝胶 铁电材料
基于数字正交的压电材料参数测试系统研究被引量:4
2011年
将数字正交采样法引用到压电测试中,对压电参数的测试方法、正交采样的理论两方面进行了研究,完成系统结构设计并给出了相应的软硬件实现方式,最后计算出机械品质因数和机电耦合系数等压电参数,并对测试结果进行了误差分析。测试结果表明,此方法能测量谐振频率与机械品质因数等压电参数,谐振频率测量误差在1%内,且能在一定范围内准确的记录材料的阻抗变化趋势。
陈亚波张洋洋邵坤张清风张光祖
关键词:数字正交阻抗
多孔场致热释电陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法,先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合,再对混合物进行预烧,温度为800~1200℃,保温时间为1~6小时,得到预烧后的陶瓷粉体;然后加入有机物造孔剂,混合均匀后...
张光祖姜胜林曾亦可张洋洋张清风喻研
文献传递
BST陶瓷场致热释电性能的研究被引量:3
2009年
采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品。研究发现,在1 340℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%。室温下测得样品的介电损耗为0.2%。外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著。样品的场致热释电系数为3.4×10-8C/cm2.℃,探测率优值为10.0×10-5Pa-1/2。
张光祖姜胜林张洋洋张清风张先云
关键词:介电性能
Pb(Zr,Sn,Ti)O3基反铁电陶瓷场致热释电效应与应用研究
锆钛锡酸铅(PZST)基反铁电陶瓷由于优异的场诱相变和可调变的介电及压电性能,被广泛的应用于大位移致动器、爆电换能器及高密度储能电容器中。此外,PZST基反铁电材料具有介电场致增强效应,被看作是用来制备非制冷红外探测器的...
张清风
关键词:介电性能改性处理
纳米管温度计被引量:1
2008年
本文讨论了Ga/in填充纳米碳管和纳米氧化物管温度计的研制、发现、发展及前詈,概述了纳米碳管温度计(测量范围为50℃~500℃)的特征、温度记录方法及In作为纳米温度计内工作物质的可能性。通过对填充Ga所具有的特殊凝固和熔化特征的回顾,阐述了Ga填充纳米碳管作为低温纳米温度计(0℃~69℃)及Ga填充纳米MgO管作为高温纳米温度计(高于700℃)的可行性。最后,讲述了采用测量Ga填充纳米碳管的电阻来标定温度的方法及如何解决纳米温度计在实际应用中存在的问题。
高义华张洪意王月姣张清风韩祥云李玉宝刘宗文占金华Golberg DDorozhkin PTovstong S黄德修板东义雄
多孔场致热释电陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法,先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合,再对混合物进行预烧,温度为800~1200℃,保温时间为1~6小时,得到预烧后的陶瓷粉体;然后加入有机物造孔剂,混合均匀后...
张光祖姜胜林曾亦可张洋洋张清风喻研
文献传递
ZnO一维半导体纳米材料及阵列的合成、性能与机理研究
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,其激子能够在室温及室温以下稳定存在,是制备半导体激光器(LD)、(LED)的理想材料。ZnO还是迄今发现的纳米结构最...
张清风
关键词:氧化锌纳米材料水热法表面形貌光致发光性能
文献传递