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徐家跃
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- 所属机构:上海应用技术学院材料科学与工程学院
- 所在地区:上海市
- 研究方向:理学
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 陆宝亮

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- 丁嘉瑄武安华周娟徐家跃范世
- 关键词:晶体吸收光谱坩埚下降法激光材料
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- 2005年
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- 徐家跃
- 关键词:籽晶铌酸单晶材料晶体生长近化学计量比LINBO3晶体
- 锗酸铅(Pb_5Ge_3O_(11))铁电单晶的生长与缺陷研究被引量:2
- 2004年
- 采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅 (Pb5Ge3 O11)单晶。所用Pt坩埚尺寸为2 5mm× 2 0 0mm和10mm×6 0mm ,炉温控制在高于熔点 5 0~ 80℃ ,固液界面温度梯度小于 2 5℃ /cm ,生长速率小于 0 .5mm/h。所得晶体呈浅棕色 ,最大尺寸达2 5mm× 6 0mm。采用光学显微镜 (OM)及电子探针 (EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷 (气泡、包裹体等 ) ,讨论了产生这些缺陷的原因 ,提出了控制及减少此类缺陷的方法。
- 吴宪君徐家跃金蔚青
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- 1996年
- 科研本土化:通向诺贝尔奖之路(上)徐家跃(中国科学院上海硅酸盐所)一年一度的诺贝尔奖是振奋人心的。然而,对于中国科学界,它无异于一场心灵的大震动,这个世界关注的最有影响的科学奖离中国人似乎太遥远了。这一现象不仅牵动着科学家的心,而且引起很多科学学研究...
- 徐家跃
- 关键词:诺贝尔奖
- 钨酸铅闪烁晶体垂直梯度凝固法生长及光学性能研究被引量:3
- 2011年
- 本文报道了垂直梯度凝固法(VGF)生长PWO晶体的研究结果。通过优化工艺参数,成功获得直径25 mm、长度140 mm的PWO晶体。通过测试PWO晶体的XRD、透过光谱、荧光光谱等,研究了所得晶体的光学性能。结果表明:VGF法生长PWO晶体在350~420 nm处的光学透过率明显提高,荧光发光主峰位于435 nm,是快发光峰,但慢发光比例有所增加。
- 向卫东张瑜斐申慧徐家跃江国健邵明国
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- 温裕贤徐家跃储耀卿
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- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法,属于单晶生长领域。特征在于:初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的分子式均匀混合,在1...
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- Nd^(3+)掺杂Lu_2O_3透明陶瓷的制备和光学性能被引量:3
- 2011年
- 通过化学途径合成了Nd3+掺杂的氧化镥纳米晶粉体,研究了工艺条件对粉体性能及透明陶瓷光学性能的影响,通过优化工艺参数,获得了晶粒均匀、尺寸在30 nm的高质量的Nd:Lu2O3纳米晶粉体。采用复合溶液法合成的粉体,经等静压成型、流动H2气氛及1880℃/8 h烧结后制备出光学透明性好的Nd:Lu2O3透明陶瓷,其在1080nm波长处的实测折射率为1.908,直线透过率超过75%,发射截面(σem)达到6.5×10-20cm2。
- 周鼎施鹰徐家跃
- 关键词:化学合成光学性能
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- 2002年
- 本文评述了氧化物晶体坩埚下降法生长的一些研究进展 ,重点介绍我们研究所在压电晶体、非线性光学晶体、弛豫铁电晶体、闪烁晶体、声光晶体、光折变晶体等方面的研究工作。从技术创新的角度探讨了氧化物晶体坩埚下降法生长工艺的新发展 ,如连续供料坩埚下降法、熔剂坩埚下降法等。
- 徐家跃范世
- 关键词:氧化物晶体坩埚下降法晶体生长
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- 介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考。
- 钟柳明王占勇金敏张伟荣刘文庆徐家跃