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徐彭寿
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- 所属机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室
- 所在地区:安徽省 合肥市
- 研究方向:理学
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
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- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强
- 关键词：GAN表面电子结构
- 湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定被引量：1
- 2008年
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- 王科范徐彭寿张伟风顾玉宗郑海务
- 关键词：氧化硅薄膜湿化学法GE量子点
- ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响被引量：55
- 2002年
- 利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文和以前的计算结果,得到了ＺｎＯ中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置．利用得到的理论计算结果,我们分析了ＺｎＯ的吸收和发射光谱可能产生的机制,并讨论了ＺｎＯ与缺陷电子结构对它们的影响．
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌潘海斌
- ZnO/α-Al_2O_3界面结构的掠入射X射线衍射研究被引量：1
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以α-Al2O3(001)为衬底,在不同衬底温度下制备ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)和同步辐射掠入射X射线衍射(GID)研究了薄膜的结晶性能和薄膜与衬底的界面结构。实验结果表明,在衬底温度较低(450℃)时,ZnO薄膜主要受衬底拉应力的作用,使界面处a方向的晶格常数增大;而在衬底温度较高(750℃)时,ZnO薄膜主要受衬底压应力的作用,使界面处a方向的晶格常数减小;在优化的衬底温度(650℃)下,ZnO薄膜受到的衬底应力较小,结晶性最好。且ZnO薄膜垂直方向的晶格排列要比面内的晶格排列更有序。
- 孙柏康朝阳李锐鹏刘忠良唐军徐彭寿潘国强
- 关键词：ZNOPLD
- CH_3CSNH_2／NH_4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征被引量：1
- 1996年
- 一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层。
- 陆尔东徐彭寿余小江徐世红潘海斌张新夷赵天鹏
- 关键词：XPS表面钝化砷化镓
- C^+注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究被引量：3
- 2007年
- 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800~1 200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。
- 陈超刘渝珍张国斌徐彭寿符义兵董立军陈大鹏
- 关键词：SICN高温退火
- 稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究
- 2000年
- 利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。
- 郭红志张发培潘海斌孙玉明许保宗徐彭寿
- 关键词：铽砷化镓半导体
- ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究被引量：3
- 2006年
- 利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置.
- 武煜宇邹崇文徐彭寿
- 关键词：ZNO
- Co_(0.9)Fe_(0.1)合金膜中组分元素的原子自旋磁矩和轨道磁矩及其对宏观磁化强度的贡献被引量：3
- 2006年
- CoFe合金由于具有高饱和磁化强度、高居里温度和低矫顽力等特性备受人们关注,研究合金中高饱和磁化强度的来源在实验上具有重要的意义.利用X射线磁性圆二色性技术(XMCD)结合常规的磁测试手段对磁控溅射法制备的Co0.9Fe0.1合金薄膜进行研究,利用加和定则得到Co的自旋(spin)磁矩和轨道(orbit)磁矩分别为1.58和0.31μB,Fe的自旋磁矩和轨道磁矩分别为1.63和0.36μB,由此得到合金的平均原子磁矩为1.90μB,这一结果与用SQUID磁强计测得的合金平均原子磁矩1.82μB基本相符;Fe和Co对样品的磁化强度的贡献比例为10.5︰89.5,总的自旋磁矩和轨道磁矩对磁化强度的贡献为83.4︰16.6;把自旋磁矩和轨道磁矩分开则有mFe-spin︰mFe-orbit︰mCo-spin︰mCo-orbit=8.6︰1.9︰74.8︰14.7.
- 郭玉献王劼李红红徐彭寿蔡建旺
- 关键词：自旋磁矩
