郭育华
作品数: 32被引量:14H指数:3
  • 所属机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
  • 所在地区:安徽省 合肥市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:中国人民解放军总装备部预研基金

相关作者

王运龙
作品数:51被引量:27H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
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刘建军
作品数:52被引量:25H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
研究主题:腔体 LTCC基板 互联 微波 LTCC
邱颖霞
作品数:83被引量:90H指数:5
供职机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
研究主题:腔体 电路图形 裸芯片 电子组件 贴装
宋夏
作品数:53被引量:39H指数:4
供职机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
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魏晓旻
作品数:20被引量:20H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第三十八研究所
研究主题:薄膜电路 LTCC基板 芯片 腔体 工装
用于高密度微波电路组装的金属阻焊膜的制作方法及产物
本发明方法针对高密度薄膜微波电路组装中焊盘与互连线之间的阻焊膜问题,提供了用于高密度微波电路组装的金属阻焊膜的制作方法及产物。所述制作方法包括:步骤1,清洁基板;步骤2,喷涂光刻胶;步骤3,光刻开窗;步骤4,沉积金属层;...
郭育华宋夏陈帅魏晓旻邱颖霞
AlN陶瓷腔体的激光加工和芯片埋置工艺被引量:5
2022年
AlN作为陶瓷封装材料具有优异的电性能和热性能。针对高功率、高频多芯片组件高密度组装的需要,采用激光加工技术在AlN陶瓷基片上直接加工腔体结构成型。通过构建激光加工腔体的理论模型,对比试验结果,分析激光功率、频率、扫描速率及加工路径等工艺参数对腔体刻蚀速率、腔体底部粗糙度的影响规律。阐述激光加工遍数与刻蚀深度的线性关系,测试腔体底部的平面度,获得了预定深度的腔体结构。完成了芯片在腔体内埋置,结果表明,激光直接加工的腔体结构可以满足芯片埋置的应用要求。
王运龙郭育华魏晓旻
关键词:ALN陶瓷腔体激光加工
氮氩体积流量比对AlN薄膜生长取向、晶体质量及沉积速率的影响及机理分析
2023年
采用反应磁控溅射法,在溅射气压、溅射功率和衬底温度恒定的条件下,通过调控氮氩体积流量比,在单晶Si衬底上制备AlN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究氮氩体积流量比对AlN薄膜的生长取向、晶体质量及沉积速率的影响规律并分析其机理。结果显示,提高氮氩体积流量比有利于AlN薄膜(002)择优取向的生长,但过高的氮氩体积流量比会降低薄膜的沉积速率。在溅射气压为5 mTorr(1 Torr=133.3 Pa)、溅射功率为500 W、衬底温度为200℃、氮氩体积流量(cm3/min)比为14∶6时,在单晶Si衬底上可以制备出质量较好的,具有良好(002)择优取向的AlN薄膜。研究结果可为反应磁控溅射制备高质量AlN薄膜提供工艺参数设置规律指导。
王强文郭育华
关键词:ALN薄膜反应磁控溅射沉积速率
一种基于激光键合的立体电路积层制造方法
本发明公开了一种基于激光键合的立体电路积层制造方法,所述立体电路包含多个介质层、导体层和层间互联孔,在传统介质层金属化的基础上通过介质层与导体层直接激光键合实现电路的积层制造,激光键合包括:介质层或导体层表面处理;层间对...
王运龙魏晓旻郭育华刘建军
一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法
本发明公开了一种预成型焊片、立体互联结构及立体互联封装方法,焊片的环形主体上设有用于容纳焊盘的开口,互联焊盘位于所述开口内,互联焊盘上具有从边缘向所述开口内缘延伸的连接部,所述连接部远离互联焊盘一端与所述开口内缘连接。本...
王运龙刘建军张孔胡海霖郭育华
一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法
本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO<Sub>2</Sub>激光加工方法。采用直径0.15‑0.3mm光斑的CO<Sub>2</Sub>激光,在厚度0.25‑1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的通孔,操作步...
王运龙刘建军宋夏郭育华邱颖霞
钼铜载体电镀前的预处理方法
本发明钼铜载体电镀前的预处理方法涉及一种金属表面处理方法。其目的是为了提供一种钼铜载体电镀前的预处理方法。通过此方法,能够在钼铜表面获得结合力好,不起皮、不起泡的良好镀层,同时该方法对环境影响小。本发明一种钼铜载体电镀前...
陈帅邱颖霞魏晓旻郭育华宋夏
文献传递
一种无需临时键合的超薄硅转接板的制作方法
本发明提供一种无需临时键合与解键合工艺的超薄硅转接板的制作方法,用于解决现有技术中设备成本高昂、工艺步骤多、胶体残留污染的问题。根据本发明提供的制作方法,超薄硅转接板形成在普通硅片的硅腔内,拿持及后续再布线层工艺、芯片贴...
王强文郭育华王运龙刘建军宋夏邱颖霞
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气压与加速度传感器相集成的MEMS芯片
本实用新型公开了气压与加速度传感器相集成的MEMS芯片,包括单晶硅片、玻璃盖板和玻璃底板,单晶硅片上集成有气压传感器和加速度传感器,气压传感器包括第一感应硅膜、多个位于第一感应硅膜上的第一应力敏感电阻、以及从玻璃盖板底端...
谷永先胡国俊郭育华兰欣曾鸿江
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Pt/Nb∶SrTiO3/In结构异常的双极性电阻变换特性
2018年
研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论。用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3(NSTO)(001)单晶衬底上制备了Pt和In电极,构建了Pt/NSTO/In异质结。该异质结的I-V特性测试结果表明,该异质结具有不同寻常的双极性阻变特性。随着Nb在SrTiO3中掺杂浓度的改变,决定样品在正电压扫描过程中由高电阻状态(HRS)向低电阻状态(LRS)或由LRS向HRS转换的阈值电压也呈现出规律性变化。对其阻变特性的物理机制分析表明,Pt/NSTO界面肖特基势垒和Pt/NSTO、NSTO/In界面处的氧空位引入的缺陷能级对电子的束缚和释放与该器件不同寻常的双极性电阻变换特性密切相关。
王强文郭育华
关键词:肖特基势垒氧空位