钟世昌
作品数: 55被引量:85H指数:6
  • 所属机构:南京电子器件研究所
  • 所在地区:江苏省 南京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家部委资助项目

相关作者

陈堂胜
作品数:398被引量:309H指数:9
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
任春江
作品数:48被引量:78H指数:5
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
陈辰
作品数:107被引量:102H指数:6
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 HEMT
焦刚
作品数:35被引量:62H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 功率MMIC
李忠辉
作品数:97被引量:78H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管