海潮和
作品数: 135被引量:128H指数:7
  • 所属机构:中国科学院微电子研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家重点基础研究发展计划

相关作者

韩郑生
作品数:639被引量:227H指数:6
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
毕津顺
作品数:204被引量:56H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 沟道 背栅
李多力
作品数:112被引量:19H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
钱鹤
作品数:89被引量:87H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:英文 SOI 刻蚀 自对准硅化物 射频
刘新宇
作品数:863被引量:292H指数:7
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底