- 多层异质结GaAs/Al_XGaAs,GaAs/Si应变层及其界面的研究
- 范荣团黄胜郭桂英
- 研究了多层异质结GaAs/AlxGaAs，GaAs/Si应变层的界面，微孪晶、层错，成分 和结构。在国内外首先发现起伏平滑效应，微孪晶三倍财期条纹，提出了双在子台阶模型，层错的判别法。确定了GaAs/AlxGaAs的最佳...
- 关键词：
- 关键词：应变层硅砷化镓
- MOCVD GaAs/Si外延层中层错的TEM研究
- 1995年
- 应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。
- 黄胜范荣团
- 关键词：砷化镓外延层层错
- 多层异质结GaAs/Al<,X>GaAs,GaAs/Si应变层及其界面的研究
- 范荣团黄胜郭桂英
- 研究了多层异质结GaAs/AlxGaAs，GaAs/Si应变层的界面，微孪晶、层错，成分 和结构。在国内外首先发现起伏平滑效应，微孪晶三倍财期条纹，提出了双在子台阶模型，层错的判别法。确定了GaAs/AlxGaAs的最佳...
- 关键词：
- 关键词：应变层砷化镓化合物半导体半导体材料
