魏丽华
作品数: 3被引量:2H指数:1
  • 所属机构:电子科技大学
  • 所在地区:四川省 成都市
  • 研究方向:理学

相关作者

张志红
作品数:5被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学物理电子学院
研究主题:电子顺磁共振 EPR 晶体场理论 自旋哈密顿参量 超精细结构常数
邬劭轶
作品数:32被引量:39H指数:4
供职机构:电子科技大学
研究主题:电子顺磁共振 G因子 晶体场理论 V 自旋哈密顿参量
付强
作品数:2被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学物理电子学院
研究主题:电子顺磁共振 EPR参量 锐钛矿 V G因子
林季资
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供职机构:江苏科技大学
研究主题:电子顺磁共振 大学物理 电子束光刻 EPR TI
张华明
作品数:5被引量:1H指数:1
供职机构:电子科技大学
研究主题:电子顺磁共振 G因子 功能材料 超精细结构常数 EPR
锐钛矿中填隙V^(4+)的EPR参量的理论研究被引量:1
2008年
采用离子簇模型,通过分析配体轨道和旋轨耦合作用的贡献,建立了改进的3d1离子在四角畸变八面体中电子顺磁共振(EPR)参量的微扰公式,能级间距可由重叠模型和局部结构数据给出。将该公式应用于锐钛矿(TiO2)中填隙V4+离子的EPR谱,讨论了配体轨道和旋轨耦合作用以及共价效应对EPR参量的贡献。理论结果与实验符合得很好,且比前人的计算,尤其是g∥和A∥有明显的改进,说明对这类共价性较强的体系,配体轨道和旋轨耦合作用的贡献不能忽略。
邬劭轶林季资付强张志红魏丽华
关键词:锐钛矿电子顺磁共振
四面体中3d~9离子EPR参量的理论研究
掺3d~9/(如Cu~/(2+/)、Ni~+等/)离子的半导体常作为重要的发光材料,其光学性质在很大程度上取决于杂质离子的局部特性/(如占位、局部晶格畸变等/),该特性可借助电子顺磁共振/(EPR/)谱进行研究。在实验方...
魏丽华
关键词:过渡金属离子晶体场理论自旋哈密顿参量
文献传递
氘化锂中Rh^(2+){A}中心g因子和超精细结构常数的理论研究被引量:1
2008年
基于晶体场模型,建立了四角对称(压缩八面体)中4d7离子的各向异性g因子g‖、g⊥和超精细结构常数A‖、A⊥的微扰公式,并应用于氘化锂(LiD)中Rh2+{A}中心。考虑了立方场参量Dq、四角场参量Ds和Dt对g因子的贡献,以及芯区极化常数κ和杂质离子4d和5s轨道混合引起的缩小因子H对超精细结构常数的贡献。计算表明,理论与实验符合较好,对应的参量值分别为Ds≈-313 cm-1,Dt≈-52 cm-1,H≈0.502,即体系具有一定程度的四角畸变和中心离子5s轨道混合。
张华明邬劭轶鲁广铎张志红魏丽华
关键词:晶体场理论LID