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国家自然科学基金(10904123)

作品数：10 被引量：30H指数：4
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相关机构：西北大学商洛学院西安邮电学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇理学

主题

  • 6篇密度泛函
  • 6篇泛函
  • 5篇N
  • 4篇密度泛函理论
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇泛函理论
  • 3篇团簇
  • 3篇几何构型
  • 3篇构型
  • 2篇单壁
  • 2篇单壁碳纳米管
  • 2篇电偶极
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  • 2篇电子输运
  • 2篇电子输运性质
  • 2篇输运
  • 2篇输运性质
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇能隙

机构

  • 9篇西北大学
  • 6篇商洛学院
  • 2篇西安邮电学院
  • 1篇长安大学

作者

  • 9篇郭平
  • 7篇任兆玉
  • 6篇侯茹
  • 4篇陈永庄
  • 4篇张继良
  • 3篇郑继明
  • 3篇李英
  • 3篇李书婷
  • 2篇赵佩
  • 2篇陈有为
  • 1篇杜恭贺
  • 1篇高双红
  • 1篇万丽娟
  • 1篇陈丹
  • 1篇郑琳琳
  • 1篇谢楠
  • 1篇牛峰

传媒

  • 6篇原子与分子物...
  • 2篇物理学报
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
水分子吸附对(4,4)单壁碳纳米管电子输运性质的影响
2011年
目的研究水分子吸附对(4,4)单壁碳纳米管的平衡态和非平衡态电导性质的影响。方法利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理方法。结果发现在小于2V的偏压下,系统对电压的增加呈现出两种不同增长速率的电流响应,其中电压小于1.1V时电流增加速率较大,而当偏压大于该值后,由于两端碳纳米管化学势不同,从而使得中心散射区的边界势不同,有较多的电极态进入中心散射区,增强了电子散射,电流增加速率变缓。结论吸附的分子提供双重的作用,一方面它们的电子态会破坏碳纳米管势场的平移对称性,从而降低系统的透射能力,而另一方面,吸附分子提供的能级,有利于电极中的电子隧穿中心散射区。
赵佩陈有为郑继明郭平
关键词：单壁碳纳米管水分子电子输运密度泛函理论第一性原理
单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究被引量：1
2011年
用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡态格林函数方法对(4,4)单壁碳纳米管及其吸附氧气分子情况下的平衡态和非平衡态电导性质进行了研究.发现在小于2V的偏压下,系统对电压的增加呈现两种不同增长速率的电流响应,其中电压小于1.1V时电流增加速率较大;而当电压大于该值后,电流对电压增加速率变缓.吸附的氧分子提供双重的作用,一方面氧分子提供的能级有利于电子隧穿中心散射区;另一方面氧分子的电子态会破坏碳管的平移对称性,从而降低电子对系统的透射能力.
赵佩郑继明陈有为郭平任兆玉
关键词：单壁碳纳米管电子输运
石墨烯量子点的磁性及激发态性质被引量：2
2011年
利用密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)基组水平上研究了具有zigzag边界的石墨烯量子点,结果表明不同大小的石墨烯量子点的基态都是具有磁性的自旋三重态.其磁性一方面来源于zigzag边界上占有凸出位置的碳原子,另一方面来源于带有孤对电子的碳原子.从整体上看,除6b结构外,其他结构的能隙随着苯环数量的增加逐渐减小,而附加电荷却使体系能隙明显减小.用含时密度泛函理论(TD-DFT)对能隙为3.83eV的由六个苯环排列成的三角形结构进行了激发态的计算,发现第十七激发态强度最大,能量为3.93eV,对应波长315.8nm,与实验结果相近.
高双红任兆玉郭平郑继明杜恭贺万丽娟郑琳琳
关键词：磁性能隙激发态
棱柱型封装Cd的硅纳米管的密度泛函理论研究被引量：3
2011年
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了四棱柱、五棱柱、六棱柱和七棱柱型封装Cd硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩.计算结果表明,四棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管的最低能结构都是自旋单重态,四棱柱和五棱柱型Cd硅纳米管畸变比较严重,已经失去管状结构.四棱柱型Cd硅纳米管的原子平均结合能最大,是这四种棱柱型Cd硅纳米管中热力学稳定性最强的.这四种棱柱型Cd硅纳米管的电荷都是由Cd原子转向Si原子的,Cd原子是电荷的施体;Si原子是电荷的受体,Cd原子与硅原子之间以共价键结合.五棱柱型Cd硅纳米管HOMO-LUMOGap最大,它的化学活性最强,而四棱柱型Cd硅纳米管的HOMO-LUMO能隙最小,它的化学稳定性最强,不易和其他物质发生化学反应.四棱柱型Cd硅纳米管的总电偶极距为零,该结构是非极性的,而五棱柱、六棱柱和七棱柱型Cd硅纳米管是极性的,且五棱柱型Cd硅纳米管的极性最强.
侯茹郭平李英张继良陈永庄任兆玉
关键词：密度泛函理论电偶极矩
无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管的理论研究
2012年
运用密度泛函理论的UB3LYP/LanL2DZ方法研究了无限长封装过渡金属Cd的棱柱型硅纳米管,并讨论了它们的总能量、原子平均结合能、Mulliken原子净布局、HOMO-LUMO能隙以及电偶极距.计算结果表明无限长封装Cd的四棱柱型硅纳米管基本保持管状结构,而相应的五棱柱型则发生严重畸变.它们的最低能结构都是自旋单重态.无限长封装Cd的五棱柱型硅纳米管中所有Cd原子的Mulliken原子净布局都为正,说明电荷是从Cd原子向Si原子转移,Cd原子是电荷的施体.而有趣的是相应的四棱柱型硅纳米管里两端的Cd原子的Mulliken原子净布局为正,即Cd原子是电荷的施体,但是中间的Cd原子的的Mulliken原子净布局却为负,即电荷由Si原子向Cd原子转移,Cd原子是电荷授体,Si原子是电荷的授体,出现了电子反转.计算的HOMO-LUMO能隙说明无限长封装Cd硅纳米管中五棱柱HOMO-LUMO能隙小于四棱柱型的HOMO-LUMO能隙,说明无限长五棱柱型Cd-Si纳米管的化学活性大于相应的四棱柱型Cd-Si纳米管,且它们的HOMO-LUMO能隙均小于1.5 eV,说明它们具有半导体特性.计算的电偶极矩结果显示,无限长封装Cd的硅纳米管中,五棱柱型的硅纳米管的电偶极距为2.084 Debye,而四棱柱型的电偶极距却为零,说明无限长封装Cd的硅纳米管中四棱柱型的是非极性的,而五棱柱型的则是极性的.
侯茹郭平陈永庄张继良任兆玉李英
关键词：电偶极矩
RuSi_n(n=1～6)团簇的结构、稳定性和电子性质的密度泛函研究被引量：14
2016年
运用杂化密度泛函理论方法在（U）B3LYP/Lan L2DZ水平研究了Ru Sin（n=1~6）团簇体系的稳定结构及电子性质.结果发现：Ru Sin（n=1~6）团簇基本保持了纯硅团簇的框架.对原子平均束缚能和分裂能的计算表明,Ru Si6团簇是Ru Sin（n=1~6）团簇中热力学稳定性最强的.对自然电荷分布的研究结果发现,Ru Sin（n=2,4~6）团簇的最低能结构出现电荷反转现象.HOMO-LUMO能隙的研究结果表明掺入钌原子后团簇的化学活性增强了,且Ru Si的化学活性是Ru Sin（n=1~6）团簇最强的.通过对团簇磁矩的研究发现,Ru Si和Ru Si3团簇具有了磁性,其余团簇的总磁矩为零,且Ru Sin（n=1~6）团簇中各原子对团簇总磁矩的贡献不同.
侯茹李书婷牛峰屈小惠谢楠郭平
关键词：几何构型电子性质
The relativistic density functional investigations on geometries,electronic and magnetic properties of Ir_n (n=1-13) clusters
2010年
The Ir_n(n=1-13) clusters are studied using the relativistic density functional method with generalized gradient approximation.A series of low-lying structures with different spin multiplicities have been considered.It is found that all the lowest-energy Ir_n(n=4-13) geometries prefer non-compact structures rather than compact structure growth pattern.And the cube structure is a very stable cell for the lowest-energy Ir_n(n>8) clusters.The second-order difference of energy,the vertical ionization potentials,the electron affinities and the atomic average magnetic moments for the lowest-energy Ir_n geometries all show odd-even alternative behaviours.
郭平郑继明赵佩郑琳琳任兆玉
关键词：密度泛函方法几何构型广义梯度近似
Nb_2 Si_n^+(n=1～6)团簇的密度泛函理论研究被引量：4
2013年
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin+(n=1～6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现最低能Nb2Sin+团簇除了n=5,6发生了微小畸变外,其余基本保持了相应的中性Nb2Sin[(n=1～6)]团簇的结构.且除了Nb2Si+团簇外,所有的最低能结构都是自旋二重态,电子态也都为2A;由原子平均束缚能和分裂能可知,Nb2Sin+团簇的热力学稳定性比相应的Nb2Sin团簇[(n=1～6)]强,说明失去一个电子增加了团簇的热力学稳定性.且Nb2Si3+团簇的热力学稳定性是Nb2Sin+(n=1～6)团簇中最强的.从绝热电离势(AIP)和垂直电离势(VIP)的结果发现,由于VIP与AIP差值很小,说明Nb2Sin+团簇和Nb2Sin团簇[(n=1～6)]结构的构型相同.Nb2Si团簇的AIP值具有最小值6.623eV,表明在实验上很容易得到它们的阳离子形式且在质谱中可观测到较高的峰值.对HOMO-LUMO能隙的研究表明与相应的Nb2Sin(n=1～6)团簇相比,Nb2Sin+(n=1～6)团簇的HOMO-LUMO能级除了n=2,6外普遍增大,说明Nb2Sin+团簇的化学稳定性强于Nb2Sin团簇[(n=1～6)],并且除了Nb2Si3+团簇外都是半导体性的.由Mulliken电荷布局得出团簇的总磁矩和原子局域磁矩,表明Nb2Si+团簇的总磁矩最大,为3.0μB,呈现为铁磁质.硅原子则在不同的团簇中表现为顺磁性或抗磁性.
陈丹侯茹郭平李书婷任兆玉
关键词：密度泛函理论电离势
密度泛函方法研究Nb_2Si_n(n=1～6)团簇被引量：5
2009年
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了两个铌原子掺杂硅团簇的几何和电子结构性质.计算结果表明,Nb2Sim(n=1～6)团簇相对最稳定的结构基本上都保持了Si_(n+2)团簇基态构型的框架,除了Nb_2Si_2团簇外,所有的低能态都是单重态构型.Nb_2Si_3的分裂能最大,在稳定的Nb_2Si_n(n=1～6)团簇中具有最强的热力学稳定性.在Nb_2Si团簇和Nb_2Si_2团簇中,电子转移是从Nb原子向Si原子的;而当n=3～6时,电子转移出现了反转现象,开始从Si原子转移到Nb原子.
侯茹郭平李英陈永庄张继良任兆玉
关键词：密度泛函理论
Nb_2Si_n^-(n=1～6)团簇的几何构型、电子性质和磁性的理论研究被引量：5
2014年
运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin-(n=1~6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现Nb2Sin-(n=1~6)团簇只是在相应的Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si-6团簇结构变化较为严重.对平均束缚能和分裂能的研究发现,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的平均束缚能和分裂能均明显高于相应的Nb2Sin团簇,表明增加一个电子可以提高Nb2Sin(n=1~6)团簇的稳定性.通过对最低能构型的分裂能的研究发现,Nb2Si-3团簇和Nb2Si3团簇分别是Nb2Sin-和Nb2Sin(n=1~6)团簇中所有最低能构型中最稳定的.对电荷自然布局的研究发现,在Nb2Sin-(n=1~6)团簇中出现了电子反转.而对于Nb2Sin(n=1~6)团簇,当n=4~6时出现电子反转现象,n=1~2时电子转移符合常规.对HOMO-LUMO能隙的研究结果表明,除了n=1,6外,其余Nb2Sin-(n=2~5)团簇最低能结构的HOMO-LUMO能隙均小于相应的Nb2Sin团簇,说明在这些团簇中增加一个电子增强了团簇的化学活性,但是当n=1、6时增加一个电子,该团簇的化学活性反而降低了.对于Nb2Sin-(n=1~6)团簇来讲,Nb2Si-2和Nb2Si-5团簇分别成为Nb2Sin-(n=1~6)团簇中化学稳定性最强和化学活性最强的.且Nb2Sin-(n=1~6)团簇呈现半导体属性.对磁矩的研究结果表明,Nb2Sin-(n=1~6)团簇的最低能结构的总磁矩均为1.00μB,两个Nb原子的局域磁矩方向,除了Nb2Si5-团簇有一个铌原子与总磁矩相反外,其余均与总磁矩方向相同.说明各团簇中两个铌原子和硅原子对磁矩的贡献不同,方向也不完全相同.
侯茹郭平陈永庄张继良李书婷任兆玉
关键词：磁矩
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