浙江省自然科学基金(Y6100596)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：方泽波杨晓峰冀婷汪建军朱燕艳更多>>
- 相关机构：绍兴文理学院西华师范大学复旦大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 单晶Tm_2O_3高k栅介质漏电流输运机制研究被引量：1
- 2012年
- 利用分子束外延技术在p型Si(001)衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜,分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明,单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射,而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel-Poole发射。
- 杨晓峰谭永胜方泽波冀婷汪建军陈太红
- 关键词：高K栅介质
- Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究
- 2012年
- 利用分子束外延系统在Si(001)衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
- 汪建军方泽波冀婷朱燕艳任维义张志娇
- 关键词：X射线光电子能谱
- Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
- 2011年
- 采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
- 姚博方泽波朱燕艳陈圣李海蓉
- 关键词：高K栅介质
- 单晶Tm_2O_3薄膜的制备与F-N隧穿机制
- 2013年
- 采用分子束外延方法结合原位退火生长技术在Si(001)衬底上制备了Tm2O3薄膜,XRD测量结果表明所制备样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3和Al/Tm2O3的势垒高度分别为2.95,1.8eV.从能带的角度表明Tm2O3是一种高K栅介质候选材料.
- 杨百良杨晓峰刘士彦
- 关键词：分子束外延
