公共文化服务平台

共 7 条记录，以下是 1-7

全选清除导出

排序方式：

p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量被引量：7: 2005年; 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2.; 薛松韩彦军吴震罗毅; 关键词：比接触电阻率传输线模型

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块(英文)被引量：1: 2005年; 利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s 调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.; 孙长征熊兵王健蔡鹏飞田建柏罗毅刘宇谢亮张家宝祝宁华; 关键词：分布反馈激光器电吸收调制器增益耦合

Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6: 2004年; 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。; 韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征; 关键词：ALGAN ICP 感应耦合等离子体 III-V族氮化物

利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅被引量：3: 2005年; 提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法 .实验发现 ,光栅的表面起伏深度很小 ,约为 12 4～0 7nm ;折射率调制较大 ,达到 0 0 10左右 .这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景 .; 周进波孙长征熊兵王健罗毅

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉被引量：1: 2005年; 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.; 熊兵王健蔡鹏飞田建柏孙长征罗毅; 关键词：薄膜电阻

n型透明导电薄膜CdIn_2O_4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件被引量：2: 2005年; 在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用 .同时 ,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系 ,特别强调了弛豫时间的重要性 .为了提高导电膜的透射率 ,还分析了Burstein Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响 ,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度Ts≈ 2 80℃ .实验表明 ,在氧分压为 8%左右时制备的薄膜质量较好 ,热处理后的指标大约为迁移率 μH =31× 10 - 4m2 V·s ,电阻率 ρ =1 89× 10 - 5Ω·m .; 伞海生陈冲何毓阳王君冯博学; 关键词：透明导电薄膜电学性质导电机制

高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4: 2005年; 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.; 邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪; 关键词：多量子阱材料 GAN 荧光谱发光二极管内建电场

全选清除导出

共1页<1>

国家高技术研究发展计划(2001AA312190)