国家重点基础研究发展计划(2006CD202601)
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 相关作者：朱美芳周玉琴刘丰珍刘金龙豆玉华更多>>
- 相关机构：中国科学院研究生院北京市太阳能研究所有限公司中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学更多>>
- 不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 分别以氢氧化钠(NaOH)、碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4.12H2O)作为刻蚀剂,研究刻蚀浓度、温度(θ)、刻蚀时间(te)和添加剂(异丙醇(IPA)、碳酸氢钠(NaHCO3))对晶体硅表面织构化的影响,用场发射扫描电子显微镜表征织构效果.通过优化工艺,可得到较低的平均表面反射率(Rav),按使用的刻蚀剂分别为:9.70%(NaOH)、9.76%(Na2CO3)和8.63%(Na3PO4.12H2O).据此分析了Rav和织构表面形貌之间的关系.发现添加剂IPA在Na3PO4.12H2O或Na2CO3与NaOH 3种刻蚀剂溶液中均可明显起改善织构效果.NaHCO3在某些方面具有与IPA的相同作用,同时又能促进大金字塔的形成.文中同时初步提出有关刻蚀过程的机理.
- 豆玉华周玉琴朱美芳宋爽刘丰珍刘金龙张占军
- 关键词：单晶硅织构碱液反射率表面形貌
- 用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制(英文)被引量：1
- 2008年
- 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈0.67,粗糙度因子为α≈0.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.
- 訾威周玉琴刘丰珍朱美芳
- 关键词：微晶硅薄膜标度理论蒙特卡罗方法
- 掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω.cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
- 陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘丰珍刘金龙陈诺夫
- 关键词：ITO薄膜
