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国家自然科学基金(60276044)

作品数:6 被引量:20H指数:2
相关作者:马瑾黄树来马洪磊盖凌云刘晓梅更多>>
相关机构:山东大学莱阳农学院中国石油大学(华东)更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇透明导电
  • 4篇透明导电膜
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇SNO
  • 1篇电池
  • 1篇电性质
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇制备及特性
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理

机构

  • 4篇山东大学
  • 3篇莱阳农学院
  • 1篇长安大学
  • 1篇中国石油大学...

作者

  • 4篇黄树来
  • 4篇马瑾
  • 3篇马洪磊
  • 3篇盖凌云
  • 2篇徐进栋
  • 2篇刘晓梅
  • 2篇姜永超
  • 1篇张士勇
  • 1篇孙征
  • 1篇郝晓涛
  • 1篇张德恒
  • 1篇孙玉林
  • 1篇王雨生

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇莱阳农学院学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 3篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Characterization of ZnO:Al Films Deposited on Organic Substrate by r.f. Magnetron Sputtering
2003年
Transparent conducting Al-doped zinc oxide (ZnO:Al) films with good adhesion have been deposited on polyimide thin film substrates by r.f. magnetron sputtering technique at low substrate temperature (25~180℃). The structural,optical and electrical properties of the deposited films were investigated. High quality films with electrical resistivity as low as 8.5× 10-4 Ω.cm and the average transmittance over 74% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained. The electron carrier concentrations are in the range from 2.9×1020 to 7.1×1020 cm-3 with mobilities from 4 to 8.8 cm2 V-1s-1. The densities of the films are in the range from 4.58 to 5.16 g/cm-3.
ShiyongZHANGHongleiMAJinMAXiaotaoHAO
关键词:ZNO:AL薄膜氧化锌薄膜铝掺杂电学性质
射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究
2003年
 采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。
张士勇马瑾刘晓梅马洪磊郝晓涛
关键词:射频磁控溅射光电性质
退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响被引量:2
2006年
首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O∶Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω.cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2.V-1.s-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。
黄树来姜永超盖凌云徐进栋王雨生马瑾
关键词:透明导电膜
柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的特性
2004年
采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见光平均透过率分别为1.3×10-2Ω·cm和82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,存在着较多的氧空位,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。
黄树来姜永超盖凌云孙玉林徐进栋
关键词:表面形貌
有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性被引量:1
2003年
采用射频磁控溅射法在有机衬底PPA上低温制备出Zn-Sn-O透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究。制备的薄膜为非晶结构,薄膜与衬底有良好的附着性。性能良好的有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的电阻率为1.3×10^(-2)Ω·cm,载流子浓度为4.4×10^(19) cm^(-3),Hall迁移率为12.4 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。薄膜在可见光范围的平均透过率达到了82%。
马瑾黄树来马洪磊盖凌云
关键词:射频磁控溅射非晶结构薄膜太阳能电池载流子浓度
ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质被引量:18
2004年
在室温下 ,采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上制备出 Zn O- Sn O2 透明导电薄膜 .制备的薄膜为非晶结构 ,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压 .薄膜的最小电阻率为 7.2 7× 10 - 3Ω· cm,载流子浓度为4 .3× 10 1 9cm- 3、霍尔迁移率为 2 0 .5 cm2 / (V· s) ,在可见光范围内的平均透过率达到了 90 % .
黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒
关键词:透明导电膜射频磁控溅射
共1页<1>
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