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陕西省教育厅科研计划项目(1IJK0902)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化层
  • 1篇栅控
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇薄栅
  • 1篇掺杂
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄栅
  • 1篇NMOSFE...

机构

  • 1篇西安邮电学院

作者

  • 1篇商世广
  • 1篇过立新
  • 1篇陈海峰

传媒

  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究
2012年
研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右漂移，这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系：GMW=VDn，n=0．08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系，斜率为1．19。文中给出了相关的物理机制。
陈海峰过立新商世广
关键词：栅氧化层
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共1页<1>
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