国家自然科学基金(60276015)
- 作品数：33 被引量：86H指数：5
- 相关作者：马书懿孙小菁魏晋军徐小丽张汉谋更多>>
- 相关机构：西北师范大学西北民族大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 部分相干平顶光束经光阑衍射的偏振特性被引量：5
- 2008年
- 根据光束的相干-偏振矩阵和传输理论,对部分相干平顶光束经正多边形光阑衍射的偏振特性进行了系统的研究.给出了部分相干平顶光束偏振度传输公式,并将高斯-谢尔模型光束以及部分相干平顶光束在自由空间传输的偏振度作为特例统一于一般表达式中.研究表明:部分相干平顶光束经光阑衍射的偏振特性与光阑截断参数、光束的空间相干性、衍射角、传输距离、平顶光束的阶数有关.
- 付文羽马书懿
- 关键词：偏振特性光阑衍射
- 磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究被引量：9
- 2008年
- 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射、扫描探针显微镜及荧光分光光度法研究了生长温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于400nm左右的紫光、446nm左右的蓝色发光峰及502nm左右微弱的绿光峰,随衬底温度升高,样品的PL谱中紫光及蓝光强度逐渐增大,同时,绿光峰的强度也表现出一定程度的增强。经分析得出紫光应是激子发光所致,而锌填隙则是引起蓝光发射的主要原因,502nm左右的绿光峰应该是氧的深能级缺陷造成的。此外,还测量了样品的吸收谱,并结合样品吸收谱的拟合结果对光致发光机理的分析作了进一步的验证。
- 徐小丽马书懿陈彦张国恒孙小菁魏晋军
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射X射线衍射光致发光
- Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究被引量：1
- 2008年
- 用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素.
- 马自军马书懿
- 关键词：I-V特性射频磁控溅射
- 镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究被引量：1
- 2005年
- 采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜.测量显示,随着正向偏压的增加,来自Au/含纳米碳粒氧化硅膜/pSi结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动.
- 马书懿马自军陈海霞张开彪
- 关键词：电致发光
- 关于二硼化镁超导体比热的一点探索
- 2007年
- 在双带密度泛函理论的基础上,研究了双能隙超导体MgB2的超导态的比热跃变ΔC(T)与能隙的关系,指出了比热跃变的主要原因,并在转变温度Tc时将ΔC(T)/Tc的理论计算值与实验值作了对比,结果符合得很好。
- 朱海滨孙爱民陈团结李彦炜
- 关键词：超导电声相互作用能隙比热
- 衬底温度对磁控溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性的影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、扫描探针显微镜及紫外分光光度计研究了生长温度对ZnO薄膜的结构及光学吸收和透射特性的影响。结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在紫外区显示出较强的光吸收,在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着衬底温度的升高,薄膜的光学带隙减小、吸收边红移。采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与实验值符合得较好。
- 徐小丽马书懿陈彦孙小菁魏晋军张国恒
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜光学特性
- 衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的村底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随村底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zn;有关,485nm附近的蓝先发射是由于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结果,而527nm左右的较弱的绿先发射主要来源于导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。生长温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光特性的。
- 蔡利霞马书懿李伟李锡森李勇
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射X射线衍射光致发光
- 含纳米硅的SiO_2薄膜电致发光的数值分析被引量：1
- 2005年
- 考虑到薄膜中存在的缺陷对发光的影响,采用位形坐标为理论模型,对用射频溅射法制备的具有Au/(Si/SiO2)/p-Si结构样品的电致发光谱进行了数值分析.数值结果表明,在SiO2薄膜中存在2个缺陷中心,电子和空穴就是通过这些缺陷中心复合而发光.这一结论与实验符合得很好,并与量子限制效应-复合中心发光的理论结果相一致.
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：电致发光
- AU/(SI/SIO_2)/P-SI薄膜中电流及电致发光机制的分析
- 2006年
- 用射频磁控溅射法制备了具有AU/(SI/SIO2)/P-SI结构的样品,利用I-V特性曲线和电致发光(EL)谱对载流子的输运及复合发光过程进行了研究,用位形坐标理论模型分析的结果表明,在SIO2薄膜中存在2个由于缺陷而形成的发光中心,AU膜中的电子和P型SI中的空穴在较高的电场下以FOWL-ER-NORDHEIM(F-N)隧穿方式进入SIO2薄膜,并通过其中的缺陷中心复合而发光。
- 张开彪马书懿马自军陈海霞
- 关键词：射频磁控溅射
- 金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究被引量：1
- 2007年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si—Metal,Metal—O,Metal—Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.
- 孙小菁马书懿魏晋军徐小丽
- 关键词：电化学光致发光X射线衍射红外吸收
