国家教育部博士点基金(20040532014)
- 作品数：15 被引量：83H指数：6
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- 硅纳米线拉曼光谱的研究被引量：9
- 2007年
- 声子限制效应会引起本征硅纳米线拉曼光谱红移及不对称宽化,但研究发现其并非引起硅纳米线拉曼光谱改变的主要因素。研究表明,由于在拉曼光谱测量中,通常使用的入射激光功率都在5mW以上,激光加热会导致很高的局部温度,从而引起拉曼光谱大幅度红移并对称宽化,这是硅纳米线拉曼光谱红移的主要影响因素。另外,激光功率很高时,由激光激发的载流子会与声子发生Fano型干涉,从而使硅纳米线拉曼光谱发生Fano型红移和不对称宽化。除此之外,对小直径本征硅纳米线,声子限制效应导致波矢选择定弛则弛豫,使不在布里渊区中心的声子也可以参与拉曼散射,因而其拉曼光谱中除常见的几个拉曼峰外还会出现新拉曼峰。
- 谭艳唐元洪裴立宅陈扬文
- 关键词：硅纳米线拉曼光谱红移
- 一维硅纳米材料形貌的研究被引量：1
- 2005年
- 一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料，由于其形貌不同，导致的电学等特性也不相同，因此一维硅纳米材料的形貌是重要的研究内容之一。一维硅纳米结构包括纳米线、纳米带及纳米管等，同种一维硅纳米材料由于制备方法不同其形貌也不相同。评述了一维硅纳米材料的形貌及其制备方法。
- 郭池唐元洪裴立宅张勇
- 关键词：纳米线纳米带纳米管形貌
- 多壁碳纳米管束储氢机理的X射线吸收谱研究被引量：10
- 2006年
- 采用X射线吸收精细结构光谱探索性地研究了多壁碳纳米管束.在多壁碳纳米管束不同入射角的X射线吸收精细结构光谱中,观察到C—Hσ共振峰强度随入射角的变化而发生变化.在常温常压下出现C—H键可能与多壁碳纳米管束中存在缺陷有关,缺陷数量越大C—Hσ共振峰的强度越大.光谱中C—Cπ和C—Cσ共振峰强度的变化趋势都不同于C—Hσ共振峰,这有力地证明了在常温常压条件下氢原子是吸附在多壁碳纳米管内表面的缺陷上.这些结果表明X射线吸收精细结构光谱是表征碳纳米管的有力工具.
- 唐元洪林良武郭池
- 关键词：碳纳米管储氢化学吸附
- 自组生长的硅纳米管的稳定性研究被引量：4
- 2006年
- 文章作者的研究小组在世界上首次合成自组生长的硅纳米管(SiNTs)后,对它的稳定性研究又获得进展.采用5wt%的HF酸对自组生长的硅纳米管的稳定性进行了研究,研究表明HF酸可以去除硅纳米管的氧化物外层,只剩下晶体硅纳米管,说明所得到的硅纳米管是一种稳定结构,因而使其应用研究开发成为可能.研究表明,硅纳米管的稳定性与其生长形成过程密切相关.
- 唐元洪裴立宅陈扬文郭池
- 关键词：稳定性
- 硅纳米线的发光性能研究及其应用前景被引量：4
- 2008年
- 硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路。文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望。
- 李甲林唐元洪李小祥李晓川
- 关键词：硅纳米线光致发光量子限制效应发光机制
- X射线吸收谱研究碳与硅的纳米线/管被引量：2
- 2006年
- 由于X射线吸收谱中的总电子产额(TEY)和荧光产额(FLY)具有不同的取样探测深度,分别对样品的表面和体内敏感,因而两者的综合应用为纳米材料的整体分析提供了有力的依据,是透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等传统方法分析纳米材料时的补充。同时,通过对TEY和FLY记录的X射线吸收谱的评述,作者认为X射线吸收谱可以准确、可靠地用来进行纳米线和纳米管的生长及其机理、取向、化学键合、缺陷与螺旋性等方面的研究。因此X射线吸收谱具有传统方法无法比拟的优势,是纳米材料研究领域强有力的表征工具。
- 林良武唐元洪张伟
- 关键词：X射线吸收谱硅纳米线碳纳米管蓝移
- 水热法制备Ge/SiO_x纳米电缆被引量：1
- 2008年
- 以混合的氧化锗粉和硅粉为原料,采用水热法在高温高压下制备出具有核-壳同轴结构的Ge/SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜研究表明这种Ge/SiOx纳米同轴电缆的产量高,直径分布均匀,长度可达微米级,并证实其为非晶态SiOx包裹Ge内核的核-壳结构。Ge芯线沿着[211]方向生长。Ge/SiOx纳米同轴电缆的生长过程遵循气-液-固和氧化物辅助生长机制,与原料中GeO2与Si的比率有关。
- 袁媛唐元洪李晓川林良武谭艳
- 关键词：纳米电缆锗水热法
- 硅纳米线的电学特性被引量：16
- 2005年
- 总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。
- 裴立宅唐元洪张勇郭池陈扬文
- 关键词：硅纳米线电学特性场发射电子输运
- 硅纳米管的研究进展被引量：2
- 2005年
- 元素硅是sp^3杂化，而不是易于形成石墨管状结构的sp^2杂化，所以具有这种sp^3杂化键的物质难于形成中空一维硅纳米材料，即硅纳米管。综述了硅纳米管及性能的理论研究，同时论述了采用模板法合成硅纳米管的最新实验进展情况，指出了目前硅纳米管的研究中需要解决的一些问题，并展望了发展。
- 裴立宅唐元洪张勇陈扬文郭池
- 关键词：硅纳米管模板法
- 硅纳米管的稳定性及性能的理论研究被引量：4
- 2006年
- 硅纳米管(S iNTs)是一种继碳纳米管(CNT)和硅纳米线(S iNW s)之后的全新一维纳米材料。文中介绍了硅纳米管理论研究的最新进展,主要从理论上对硅纳米管的稳定性、稳定存在的形式及其性能,包括导电性能、热稳定性能、机械性能等进行了综述,最后,探讨了硅纳米管的发展前景并提出展望。
- 李小祥唐元洪裴立宅
- 关键词：硅纳米管稳定性
