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国家自然科学基金(11176006)

作品数:9 被引量:14H指数:2
相关作者:鲍景富赵兴海杜亦佳郑英彬邓成更多>>
相关机构:电子科技大学中国工程物理研究院电子工程研究所香港城市大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家部委资助项目中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇机械工程

主题

  • 3篇微机电系统
  • 3篇开关
  • 2篇射频微机电系...
  • 2篇释放时间
  • 2篇太赫兹
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇滤波器
  • 2篇开关速度
  • 2篇赫兹
  • 2篇MEMS开关
  • 2篇波导
  • 2篇波导滤波器
  • 1篇电极
  • 1篇电流源
  • 1篇电容
  • 1篇动法
  • 1篇压控
  • 1篇压控电流源
  • 1篇压控电容

机构

  • 9篇电子科技大学
  • 7篇中国工程物理...
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇国营第七八三...

作者

  • 9篇鲍景富
  • 7篇赵兴海
  • 6篇杜亦佳
  • 5篇郑英彬
  • 5篇邓成
  • 4篇凌源
  • 2篇李昕熠
  • 1篇单光存
  • 1篇陈颖慧
  • 1篇宋亚梅
  • 1篇寇波
  • 1篇黄裕霖
  • 1篇苏伟
  • 1篇梁冰
  • 1篇黄伟

传媒

  • 5篇微纳电子技术
  • 2篇电子与信息学...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇现代雷达

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
140GHz MEMS矩形波导滤波器被引量:7
2013年
设计并实现了一种采用微机械制造(MEMS)技术加工的D波段矩形波导膜片滤波器.采用有限元仿真软件HFSS分析了滤波器内腔镀膜厚度、粗糙度以及感性膜片厚度对滤波器主要性能的影响.采用MEMS深刻蚀工艺(DRIE)成功加工出了滤波器主体结构.通过完成结构深刻蚀、金属电镀和键合等关键工艺,首次制造出了D波段MEMS波导滤波器.样品测试结果为插入损耗0.4~0.7 dB,中心频率(140±3)GHz,带外抑制为≥18 dB,样品主要技术指标与设计值符合.
赵兴海单光存郑英彬杜亦佳陈颖慧鲍景富苏伟
关键词:波导滤波器太赫兹
用于Lamé模态方块谐振器的压控电流源模型
2015年
提出了一种可以用于Lamé模态方块微机械谐振器的压控电流源模型。推导了器件的电气参数以建立电路模型。模型中还加入了一个压控调谐电容来描述谐振器的频率非线性特性。该电容值和模型中的其他参数既可以通过理论计算也可以通过不同方法实验得到。为了证实该模型,采用SOIMUMPs工艺制备了一个频率为9.45 MHz并且包含T型支撑梁结构的绝缘体上硅工艺谐振器,并且在0.015 mTorr(1 Torr=133.322 Pa)真空环境下完成器件的测试。理论计算和实验结果之间参数的最大偏差为18%,该偏差是在60 V偏置电压下得到的,因此该模型的精确性比较高。
梁冰宋亚梅鲍景富李昕熠
关键词:压控电容微机械谐振器
单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器
2012年
针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果。通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062%(10 GHz,2.925×10-4 rad)。单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094%(10 GHz,4.425×10-4 rad)。
邓成鲍景富杜亦佳凌源赵兴海郑英彬
RFMEMS技术对小型化雷达的作用被引量:2
2012年
该文采用至上而下的方式,介绍了应用RF MEMS技术的雷达系统,将雷达子系统与RF MEMS技术联系起来,具体分析了应用于雷达的RF MEMS开关、移相器、滤波器和谐振器。同时,文中以开关和移相器为例,讨论了如何提高RFMEMS雷达的性能:修改空气桥形状可以提高RF MEMS收发(T/R)组件的功率处理能力,从而减少雷达相控阵的T/R组件数量;缩短转换时间的RF MEMS移相器能够应用于高速电扫描阵列;蜿蜒型5位分布式MEMS传输线移相器面积仅为5.36mm×4.72mm,相比传统移相器长度降低70%,易于实现雷达阵列的小型化。
魏恭邓成鲍景富黄伟
关键词:射频微机电系统雷达相控阵收发组件开关
缩短RFMEMS开关释放时间的上悬梁方法被引量:1
2011年
针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近的振动,从而缩短RF MEMS开关的释放时间。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。通过ANSYS仿真雷声梁在设置上悬梁前后的动态特性:对于4μm高的梁,释放时间由设置上悬梁前的103μs(0.5μm厚),176μs(0.8μm厚)和232.5μs(1.1μm厚)分别下降为53.3,89和123.4μs;对于3μm高0.5μm厚的梁,释放时间由43.3μs下降为22μs。仿真结果均表明:在标准大气压下,当雷声梁高度为上悬梁高度的一半时,加入上悬梁后雷声梁的释放时间约为原来的1/2,即开关速度约为原来的2倍。
邓成鲍景富凌源杜亦佳赵兴海郑英彬
关键词:释放时间开关速度
太赫兹微加工波导滤波器被引量:4
2012年
该文提出应用微加工(Micromachining)技术设计制作太赫兹6阶并联电感耦合波导带通滤波器的方法。立足于现有工艺条件,通过分析加工因素对滤波器电磁性能的影响,将工艺和设计参数相互折中达到优化设计的目的,避免因工艺原因造成的器件性能急剧恶化,最终得到插入损耗小、可靠性好、可集成的太赫兹滤波器。采用微加工深刻蚀(ICP)、溅射电镀金属、键合等工艺步骤,最终制作完成的单个微加工滤波器划片后体积为24.0 mm×5.0 mm×1.66 mm。应用可调测试夹具固定微加工滤波器,通过功率计测试其功率衰减,得到其中心频率为141.5 GHz,3dB带宽为10.6%,中心频率处功率衰减小于1 dB,验证了工艺方法的有效性。
杜亦佳鲍景富赵兴海郑英彬
关键词:微加工技术波导滤波器
高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计被引量:1
2013年
针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度。当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随之降低,在增加开关电容比的同时降低了驱动电压。利用开关悬臂梁引入的电感,将开关闭合态LCd谐振点设计在14.5 GHz,使得开关在Ku频段的隔离度尤为优异。使用ANSYS和HFSS软件进行模拟,结果显示所设计开关驱动电压小于32 V,关态和开态电容比达到280,12~18 GHz的隔离度大于37 dB,插入损耗低于0.23 dB,回波损耗高于-17 dB。
凌源鲍景富李昕熠黄裕霖寇波赵兴海
关键词:隔离度插入损耗回波损耗
提高RF MEMS开关速度的电压控制方法被引量:1
2012年
针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振动。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。由ANSYS仿真结果可知,在标准大气压下,采用28μs单段线性压降后,梁的释放时间从103μs缩短到62.5μs;采用26μs双段线性压降后,梁的释放时间进一步缩短到26μs,仅为原来的1/4,即开关速度约为原来的4倍。
邓成鲍景富凌源杜亦佳赵兴海郑英彬
关键词:MEMS开关释放时间开关速度梁振动偏置电压
缩短微机械圆盘谐振器缝隙的电极移动法被引量:1
2012年
针对现有微机械(Micromechanical,也称MEMS)圆盘谐振器串联动态电阻过大的问题,该文提出了电极移动法,将其它MEMS器件的可调性能引入MEMS圆盘谐振器,在现有最窄缝隙工艺条件下实现了电极-圆盘缝隙的进一步缩减,降低了串联动态电阻。该文给出了悬置电极的设计方法,推导了电极移动后有效缝隙宽度的表达式,提出了可防电极接触短路的微小圆孔状凹陷设计,并给出了加入凹陷后的有效缝隙宽度表达式。通过ANSYS仿真结果可知,分别加载2.10 V和66.38 V偏置电压后,0.1μm和1μm电极-圆盘缝隙缩小为0.0016μm和0.01μm。对于0.1~1.1μm缝隙谐振器,串联动态电阻变为原来的10 8倍以下。
邓成鲍景富杜亦佳赵兴海
关键词:微机电系统
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