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国家自然科学基金(61172028)

作品数：12 被引量：42H指数：4
相关作者：王培吉逯瑶张昌文冯现徉王喆更多>>
相关机构：济南大学山东医学高等专科学校更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇光学
  • 8篇光学性
  • 8篇SNO
  • 7篇光学性质
  • 6篇态密度
  • 5篇晶格
  • 5篇掺杂
  • 5篇超晶格
  • 4篇结构和光学性...
  • 3篇第一性原理
  • 3篇共掺
  • 3篇光电
  • 3篇SNO2
  • 2篇电性质
  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇共掺杂
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性质
  • 2篇SN

机构

  • 12篇济南大学
  • 1篇山东医学高等...

作者

  • 12篇王培吉
  • 8篇逯瑶
  • 7篇张昌文
  • 6篇王喆
  • 6篇冯现徉
  • 5篇张国莲
  • 4篇蒋雷
  • 1篇宫丽
  • 1篇李洪霞
  • 1篇黄宝君

传媒

  • 5篇物理学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇济南大学学报...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
过渡金属掺杂SnO_2超晶格磁学和光学性质的研究被引量：3
2014年
基于密度泛函理论的第-性原理,采用全势线性缀加平面波方法（FPLAPW）和广义梯度近似（GGA）来处理相关能,计算了n 层过渡金属Cr掺杂SnO2 超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质（n=1,2,3）.结果表明,掺杂使材料均表现出了半金属性,并且导电性和磁矩随着n 的增大而增强.掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态,Cr的加入使O 的态密度产生了自旋极化现象.在0～1.8eV 处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n 的增加而向高能方向推移,在1.8～7.0eV 处所形成峰的峰值随着n 的增大而增加,在7.0～17.0eV 处所形成的峰的峰值随着n 的增大而减小.
王喆冯现徉王培吉
关键词：超晶格态密度
掺杂Fe的SnO_2超晶格材料的电子结构和光学性质
2014年
采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,计算一层与两层Fe原子替代Sn原子的超晶格SnO2的电子态密度和各项光学参数。计算结果表明:掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随着掺杂层数的增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;吸收谱、消光系数等均与介电函数虚部谱线相对应,且均发生红移,吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小,各光学谱线随掺杂层数的增多在高能区的峰值明显降低。
王喆逯瑶王培吉
关键词：超晶格态密度光学性质
电子和空穴注入对氮掺杂SnO_2材料光电性能的影响
2016年
采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO_2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 e V,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 e V,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO_2材料导电性能有所提高。注入空穴的体系光学特性也发生了较大的变化,其吸收系数、能量损失函数及折射率在低能区域低于本征和电子注入体系,整个体系的态密度向低能方向移动发生了红移,吸收边变宽,体系的光学响应增大。
邢丹旭张昌文王培吉
关键词：SNO2N掺杂光电性能
Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析被引量：17
2012年
本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
关键词：电子结构态密度光学性质
Sn_(1-x)N_xO_2材料光电性质的研究
2011年
基于密度泛函理论的第一性原理,采用广义梯度近似(GGA)下的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部。计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动,随着掺杂量的增加,Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强,禁带宽度逐渐减小,并且在1.35～2.50 eV的能量范围上形成了杂质带,其主要来源是N的2p态上的电子。分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体,掺杂后其介电函数谱和折射率也与带隙相对应地发生红移,介电谱的跃迁峰与电子从价带到导带的跃迁有关,从理论上指出光学性质与电子结构之间的内在关系。
张国莲逯瑶冯现徉张昌文王培吉
关键词：光电性质第一性原理
Co、Mn共掺杂SnO_2超晶格的电子结构和光学性质被引量：2
2014年
采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,应用广义梯度近似来处理相关能,研究了Co、Mn掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质。研究结果表明,Co、Mn掺杂使材料表现出金属性。共掺杂Co、Mn的3d电子和O的2p电子产生了强烈的杂化作用,杂化作用使Co和Mn原子的磁矩<3.0μB。单掺杂Co时没有杂化作用,导致每个Co原子产生的磁矩为1.56μB。两种掺杂都在低能量区1.0 eV处形成新的介电峰,Co、Mn共掺杂与Co掺杂相比在1.5 eV处形成介电峰,吸收系数和反射系数也发生了相应的变化。
王喆黄宝君王培吉
关键词：超晶格SNO2光学性质
第一性原理研究Fe掺杂SnO_2材料的光电性质被引量：14
2011年
采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,研究Fe掺杂SnO2材料电子结构和光学性质,包括电子态密度、能带结构、介电函数和其他一些光学图谱.研究结果表明,掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随掺杂浓度增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质.光学谱线(吸收谱、消光系数等)与介电函数虚部谱线相对应,均发生蓝移,各峰值与电子跃迁吸收有关,从理论上指出光学性质和电子结构的内在联系.
逯瑶王培吉张昌文冯现徉蒋雷张国莲
关键词：态密度介电函数
Fe,Mn共掺SnO_2超晶格电子结构和光学性质研究被引量：7
2013年
基于密度泛函理论的第一性原理,采用了广义梯度近似(GGA)处理交换相关势,用Wien2k软件计算了SnO2超晶格掺杂单层Mn、双层Mn及Fe、Mn共掺情况下的态密度、能带结构、光学性质。结果表明SnO2超晶格单掺Mn时,材料表现为半金属性,这是由于Mn-3d与O-2p的耦合作用,而双层Mn掺杂时仅有O-2p提供。随Mn掺杂层数的增加,其光学性质在低能级处的峰值增大,光学吸收边发生红移,材料透光性能增强。当Fe、Mn共掺时,态密度向低能方向移动,能带结构在Fermi能级附近出现自旋极化,材料表现为半金属性,这是由于Fe与Mn强烈耦合所致。材料的吸收谱、反射谱、能量损失图谱变化趋势一致,但共掺杂比单掺时各谱更向低能方向移动。
王喆逯瑶王培吉
关键词：态密度光学性质
第一原理研究Sn(O_(1-x)N_x)_2材料的光电磁性质
2012年
基于第一原理的密度泛函理论,以量子化学从头计算软件为平台研究了Sn(O_(1-x)N_x)_2材料的光电磁性能,分析了体系的态密度、能带结构、磁性、介电虚部及折射率.计算结果表明,N替代O后,随着掺杂浓度的增加,体系的带隙先减小后增大,掺杂量为12.50%时带隙最窄.由于N 2p轨道电子的贡献,在0.55—1.05 eV范围内产生了浅受主能级,价带和导带处的能级均出现了劈裂及轨道的重叠现象,Sn—O键的键强大于N—O键的键强.从磁性来看,N原子决定了磁矩的大小.从介电虚部可知,掺杂后体系的光学吸收边增宽,主跃迁峰发生红移,反射率和介电谱相对应,各峰值与电子的跃迁吸收有关.
张国莲逯瑶蒋雷王喆张昌文王培吉
In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究被引量：7
2012年
采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法,计算了超晶格ZnO掺In的光学性质.计算结果表明,掺入In元素后Fermi能级进入导带,介电函数、吸收系数、折射率、反射率都在Fermi面附近产生新的跃迁峰.随着掺杂层数的增多,跃迁峰发生红移,当掺杂两层In时跃迁峰峰值最大,同时吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小.与In掺杂ZnO超晶胞相比,ZnO超晶格在可见光范围内具有高透过率的特点.
冯现徉逯瑶蒋雷张国莲张昌文王培吉
关键词：超晶格态密度光学性质
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