国家高技术研究发展计划(2013AA030801)
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
- 相关作者：徐志军郝继功杨保和初瑞清李国荣更多>>
- 相关机构：聊城大学天津理工大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 多层膜结构声表面波器件研究
- 声表面波（SAW）器件由于其尺寸小、性能优越、一致性好、可靠性高而成为现代移动通信系统中不可或缺的射频信号处理器件。 本文针对目前传统压电单晶基片材料SAW滤波器所面临的可应用频段低和温度稳定性差的问题，对压电薄膜/金...
- 钱莉荣
- 关键词：声表面波器件刚度矩阵纳米金刚石
- 文献传递
- 脉冲量子级联激光器吸收谱扫描方法被引量：1
- 2015年
- 针对近年来脉冲量子级联激光器吸收光谱的研究进展,系统地综述了脉冲量子级联激光器吸收光谱扫描方法,如脉间光谱扫描法、脉内光谱扫描法和中脉冲光谱扫描法等,并对这些方法的扫描原理、实现方案、应用场合及存在的问题进行了详细的分析,同时从频率扫描方式、采样带宽和分辨率等角度对这三种扫描方法进行比较。分析指出,最早提出的脉间光谱扫描方法具有操作简单和采样带宽低等特点,依然是今后常规的吸收谱测量方法;中脉冲光谱扫描方法复杂,只是在特定条件下的一种临时的替代方案;而脉内光谱扫描技术具有扫描速度快和光谱分辨率高等优点,将成为未来吸收谱扫描的主要方法。
- 余兆安姚志宏冯雪梁圣法吕铁良
- 关键词：吸收谱频率调谐
- CaFeO_(2.5)掺杂对PSZT压电陶瓷微观结构及电性能的影响
- 2014年
- 采用常规固相法制备了CaFeO2.5掺杂改性的Pb0.95Sr0.05(Ti0.47Zr0.53)O3压电陶瓷.利用X射线衍射、扫描电镜、精密阻抗分析仪等技术分析表征了该体系的微观结构及电性能.结果表明:CaFeO2.5掺杂促进了PSZT陶瓷的致密化,抑制了晶粒长大.CaFeO2.5掺杂引起晶格畸变,随CaFeO2.5掺杂量的增加,四方晶格发生膨胀,四方度增大;缺陷偶极子增加,降低了压电性能并出现了类似于反铁电性质的电滞回线"束腰"现象.
- 孙娜徐志军程仁飞陈明丽姬万滨
- 关键词：电性能微观结构
- TiO_2压敏陶瓷的研究进展被引量：2
- 2014年
- TiO2压敏陶瓷的压敏电压低、非线性系数高、介电常数大、制备工艺简单,在电子、通信、航天航空等高新技术产业的低压保护中具有广阔的应用前景。主要从粉体制备工艺、叠层方式烧结、烧结氛围、烧结温度及保温时间、掺杂物质及浓度等方面归纳总结了TiO2压敏陶瓷的研究状况,并展望了其今后的研究趋势。
- 巩云云初瑞清徐志军马帅郝继功李国荣
- 关键词：二氧化钛压敏陶瓷掺杂
- 高频用高性能片式压敏电阻器研制
- 2015年
- 通过对瓷体配方、流延厚度、介质层层数、电镀电流的试验,研究了它们对多层片式压敏电阻器电性能影响。研制出了超低电压、超低电容、超低泄漏电流多层片式压敏电阻器,其压敏电压极低(≤5V)、电容量极小(≤1pF)、泄漏电流极小(≤0.1μA)。
- 唐斌周庆波李强岑权进
- 关键词：高频多层片式压敏电阻器电性能
- (Mo_(1/2)Sr_(1/2))^(4+)掺杂Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3无铅压电陶瓷结构及其性能研究被引量：3
- 2014年
- 采用传统陶瓷制备工艺制备出了Bi1/2Na1/2Ti1-x(Mo1/2Sr1/2)xO3(简称BNT-MS-100x)系无铅压电陶瓷材料,研究了(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂量对BNT基陶瓷材料显微结构和电学性能的影响。研究结果表明,(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂并未影响BNT陶瓷的晶体结构,仍为纯钙钛矿型结构,而且致密性良好。随着(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂量增加,居里温度升高,剩余极化强度先增大后减小。当x=0.004时,BNT-MS-100x陶瓷的压电系数最大,d33=104pC/N,介电损耗最小,tanδ=4.11%。
- 程仁飞徐志军初瑞清郝继功杜鹃姬万滨李国荣
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠
- 氩氧比对磁控溅射ZnO薄膜的压电响应与极化特性的影响
- 2015年
- 保持总的工作气压不变,在不同氩氧比条件下,采用射频磁控溅射法在铝电极层上制备了ZnO薄膜。用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分析了ZnO薄膜的择优取向、表面形貌和压电响应,并通过垂直PFM(VPFM)和水平PFM(LPFM)相位图研究了ZnO晶粒的极化特性。结果表明,氩氧比对ZnO薄膜的晶体结构和压电特性有显著影响,其中在氩氧比1∶1的条件下制备的ZnO薄膜具有最大的VPFM振幅和最佳的极化取向一致性。
- 苏林杨保和王芳李翠平戴玮
- 关键词：磁控溅射ZNO薄膜
- ZnO薄膜/金刚石在不同激励条件下声表面波特性的计算与分析被引量：5
- 2013年
- 本文首先以刚度矩阵法为基础,给出了ZnO薄膜/金刚石在四种不同激励条件下的有效介电常数计算公式.然后以此为工具,分别计算了多晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石和单晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石的声表面波特性,并根据计算结果及设计制作声表面波器件的要求,对ZnO膜厚的选择进行了详细地分析.最后讨论了ZnO/金刚石/Si复合晶片可以忽略Si衬底对声表面特性影响时对金刚石膜厚的要求.
- 钱莉荣杨保和
- 关键词：声表面波有效介电常数
