重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJ121408)
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 相关作者：符春林蔡苇陈刚邓小玲曾冬更多>>
- 相关机构：重庆科技学院重庆大学电子科技大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- Ni掺杂ZnS的第一性原理计算被引量：5
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂。纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高。掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰。
- 曾冬符春林蔡苇郭倩谭平张朝阳
- 关键词：第一性原理硫化锌电子结构光学性质
- 超高温压电陶瓷研究进展被引量：1
- 2013年
- 超高温压电陶瓷主要包括A2B2O7类钙钛矿型和铋层状结构两类不同的材料体系,本文主要从晶体结构、表面形貌、制备工艺、性能等多角度对两类超高温压电陶瓷进行较为详细的评述,在此基础上提出了超高温压电陶瓷以后的研究发展方向。
- 向炼陈刚陈刚符春林蔡苇陈健李小双
- 关键词：超高温压电陶瓷
- Sn掺杂BZT薄膜性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜。结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4%时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8%时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小;BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm。
- 邓小玲蔡苇符春林陈刚郭冬娇
- 工艺因素对磁控溅射法制备钛酸锶钡薄膜性能的影响被引量：1
- 2013年
- 磁控溅射技术在薄膜制备领域有着广泛的应用。本文在介绍磁控溅射法制备薄膜材料的基本原理和流程基础之上,详细分析了溅射工艺参数(溅射功率、温度、溅射气压、氧分压)对BST薄膜性能的影响,并提出了研究中需要解决的一些问题。
- 张玉芹邓小玲刘行冰符春林成计平
- 关键词：磁控溅射BST薄膜工艺参数
