国家高技术研究发展计划(2001AA313060) 作品数:5 被引量:11 H指数:1 相关作者: 张国义 杨志坚 陆敏 胡晓东 章蓓 更多>> 相关机构: 北京大学 更多>> 发文基金: 国家高技术研究发展计划 国家自然科学基金 国家重点实验室开放基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响 被引量:9 2004年 研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。 秦志新 陈志忠 于彤军 张昊翔 胡晓东 杨志坚 李忠辉 张国义关键词:氮化镓基发光二极管 热退火 载流子浓度 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文) 被引量:1 2004年 用 Thom as Swan公司的 MOCVD系统在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了高质量的 Ga N薄膜 .采用多种化学腐蚀方法 ,如熔融 KOH ,H3PO4 与 H2 SO4 混合酸和 HCl气相腐蚀法 ,利用 SEM及 TEM技术对 Ga N薄膜中的位错进行了研究 .SEM显示在 Ga N薄膜相同位置处 ,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别 .结果表明 HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错 ;H3PO4 与 H2 SO4 混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错 ;而熔融 陆敏 常昕 方慧智 杨志坚 杨华 黎子兰 任谦 张国义 章蓓关键词:氮化镓 AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文) 2004年 采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm ) 陆敏 方慧智 张国义关键词:MQW SCH 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量:1 2005年 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。 杨志坚 胡晓东 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义关键词:氮化镓 金属有机化学气相沉积 GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析 2005年 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的. 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义关键词:透射电镜 激光剥离