国家自然科学基金(60671004)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究
- 用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的 VO薄膜。通过 XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该 VO 薄膜非常适合用作非制冷...
- 戴君王兴治何少伟马宏易新建
- 关键词：氧化钒薄膜非制冷红外探测器磁控溅射
- 文献传递
- 磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究被引量：2
- 2007年
- 主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.
- 戴君王兴治何少伟马宏易新建
- 关键词：氧化钒薄膜非制冷红外探测器磁控溅射
- 纳米VO_2多晶材料的低温相变和随机阻抗网络模型
- 2009年
- 制备了纳米VO2多晶薄膜材料,其相变温度为35℃,实验测量了它的电阻-温度(R-T)曲线和热滞回线,并用随机阻抗网络模型进行了R-T曲线和热滞回线模拟,两者显示出结果一致,表明在低温相变温度35℃下,随机阻抗网络模型适用于纳米VO2多晶薄膜R-T曲线和热滞回线。此外,给出了VO2多晶材料在半导体区和金属区的简化随机阻抗网络模型的电阻公式。
- 熊笔锋马宏
