国家教育部博士点基金(2005070-0006)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
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- 掺碳SiGe二极管反向阻断特性模拟与机理分析被引量：1
- 2008年
- 深入研究了掺碳SiGe(SiGeC)功率二极管的反向阻断特性,给出了详细的机理分析。与同结构SiGe二极管相比,SiGeC二极管的热稳定性显著提高,反向漏电流明显减小,击穿电压也有所增加,且随着温度的升高,其优势更加明显。与少子寿命控制技术相比,该SiGeC/Si异质结二极管有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间3者之间的矛盾。其较好的热稳定性降低了对器件后续制作工艺的限制,而且无需采用寿命控制技术,在制作过程中可调节Ge,C含量来对异质结能带结构进行剪裁,折中优化器件性能,给器件设计提供了更大的自由度。
- 刘静高勇
- 关键词：半导体二极管
